[发明专利]存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

堆叠结构；

贯穿所述堆叠结构的存储沟道孔；

位于所述存储沟道孔侧壁的电荷捕获层；

其中，所述电荷捕获层包括沿所述存储沟道孔径向依次层叠设置的第一部分和第二部分；所述第二部分中第一元素的含量大于所述第一部分中第一元素的含量。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电荷捕获层的材料包括含氢的氮化硅；所述第一元素包括氢元素。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度；所述第二部分不用于进行电荷的存储。

4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，在对所述存储器进行退火处理的过程中，

所述第二部分向所述第一部分扩散的所述第一元素的量大于所述第一部分向所述第二部分扩散的所述第一元素的量；

和/或，

所述第一部分向所述第二部分扩散的所述第一元素被所述第二部分的所述第一元素排斥，并返回至所述第一部分。

5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：阻挡介电层、隧穿介电层及沟道层；

其中，所述阻挡介电层位于所述存储沟道孔侧壁与所述电荷捕获层之间；所述隧穿介电层覆盖所述电荷捕获层；所述沟道层覆盖所述隧穿介电层。

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述阻挡介电层的材料包括氧化物；所述隧穿介电层的材料包括掺氮的氧化物。

7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器包括三维NAND型存储器。

8.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供堆叠结构；

形成贯穿所述堆叠结构的存储沟道孔；

在所述存储沟道孔侧壁形成电荷捕获层；

其中，所述电荷捕获层包括沿所述存储沟道孔径向依次层叠设置的第一部分和第二部分；所述第二部分中第一元素的含量大于所述第一部分中第一元素的含量。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述电荷捕获层的材料包括含氢的氮化硅；所述第一元素包括氢元素。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述存储沟道孔侧壁形成电荷捕获层，包括：

在所述存储沟道孔侧壁形成电荷捕获材料层；

对所述电荷捕获材料层表面进行钝化处理，以形成所述电荷捕获层的第二部分；其中，未进行所述钝化处理的所述电荷捕获材料层形成所述电荷捕获层的第一部分。

11.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述存储沟道孔侧壁形成电荷捕获层，包括：

采用第一沉积工艺，在所述存储沟道孔侧壁形成所述电荷捕获层的第一部分；

采用第二沉积工艺，形成覆盖所述第一部分的所述第二部分；其中，所述第二沉积工艺中提供的含第一元素源物质的含量大于所述第一沉积工艺中提供的含第一元素源物质的含量。

12.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述存储器进行退火处理；其中，在所述退火处理过程中，所述第二部分向所述第一部分扩散的所述第一元素的量大于所述第一部分向所述第二部分扩散的所述第一元素的量；

和/或，

所述第一部分向所述第二部分扩散的所述第一元素被所述第二部分的所述第一元素排斥，并返回至所述第一部分。