[发明专利]存储器及其制作方法

说明书

本发明提供了一种存储器及其制作方法。其中，所述存储器包括：堆叠结构；贯穿所述堆叠结构的存储沟道孔；位于所述存储沟道孔侧壁的电荷捕获层；其中，所述电荷捕获层包括沿所述存储沟道孔径向依次层叠设置的第一部分和第二部分；所述第二部分中第一元素的含量大于所述第一部分中第一元素的含量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器及其制作方法。

背景技术

存储器，例如电荷捕获型存储器，是一种新兴的闪存类型存储器，其作为下一代高密度存储器的候选者，一直是半导体技术领域相关基础研究和产业开发的重点。相关技术中，随着存储器器件尺寸的缩小，存储器的各个功能层的尺寸也在减小。

然而，在存储器各个功能层的尺寸减小时，器件的可靠性会降低。

发明内容

为解决相关技术中存在的一个或多个问题，本发明实施例提出一种存储器及其制作方法。

本发明实施例一方面提供了一种存储器，包括：

堆叠结构；

贯穿所述堆叠结构的存储沟道孔；

位于所述存储沟道孔侧壁的电荷捕获层；

其中，所述电荷捕获层包括沿所述存储沟道孔径向依次层叠设置的第一部分和第二部分；所述第二部分中第一元素的含量大于所述第一部分中第一元素的含量。

上述方案中，所述电荷捕获层的材料包括含氢的氮化硅；所述第一元素包括氢元素。

上述方案中，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度；所述第二部分不用于进行电荷的存储。

上述方案中，在对所述存储器进行退火处理的过程中，

所述第二部分向所述第一部分扩散的所述第一元素的量大于所述第一部分向所述第二部分扩散的所述第一元素的量；

和/或，

所述第一部分向所述第二部分扩散的所述第一元素被所述第二部分的所述第一元素排斥，并返回至所述第一部分。

上述方案中，所述存储器还包括：阻挡介电层、隧穿介电层及沟道层；

其中，所述阻挡介电层位于所述存储沟道孔侧壁与所述电荷捕获层之间；所述隧穿介电层覆盖所述电荷捕获层；所述沟道层覆盖所述隧穿介电层。

上述方案中，所述阻挡介电层的材料包括氧化物；所述隧穿介电层的材料包括掺氮的氧化物。

上述方案中，所述存储器包括三维(3D，3Dimensional)NAND型存储器。

本发明实施例另一方面提供了一种存储器的制作方法，包括：

提供堆叠结构；

形成贯穿所述堆叠结构的存储沟道孔；

在所述存储沟道孔侧壁形成电荷捕获层；

其中，所述电荷捕获层包括沿所述存储沟道孔径向依次层叠设置的第一部分和第二部分；所述第二部分中第一元素的含量大于所述第一部分中第一元素的含量。

上述方案中，所述电荷捕获层的材料包括含氢的氮化硅；所述第一元素包括氢元素。

上述方案中，所述在所述存储沟道孔侧壁形成电荷捕获层，包括：

在所述存储沟道孔侧壁形成电荷捕获材料层；

对所述电荷捕获材料层表面进行钝化处理，以形成所述电荷捕获层的第二部分；其中，未进行所述钝化处理的所述电荷捕获材料层形成所述电荷捕获层的第一部分。