[发明专利]RAM的读写控制方法在审

专利信息
申请号: 202111386213.9 申请日: 2021-11-22
公开(公告)号: CN114265796A 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 赵强 申请(专利权)人: 四川和芯微电子股份有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省成都市高新区*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: ram 读写 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种RAM的读写控制方法,其特征在于,包括如下步骤:

a.外部数据输入RAM控制顶层的输入模块,获取输入数据的位宽信息;

b.根据RAM的位宽信息配置输入模块中输入数据的位宽比与RAM控制顶层的输出模块中输出数据的位宽比;

c.产生RAM写使能信号与写地址信息,根据输入模块中的输入数据的位宽比将外部数据写入RAM内;

d.产生RAM读使能信号与读地址信息,根据输出模块中的输出数据的位宽比从RAM中将数据读出至输出模块。

2.如权利要求1所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,设定RAM的位宽为K,输入数据的位宽为A,输出数据的位宽为B,输入数据的位宽比为k1,输出数据的位宽比为k2,则满足:k1*A=K=k2*B,其中k1与k2为自然数。

3.如权利要求2所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,根据输入模块中的输入数据的位宽比将外部数据写入RAM内具体地为:计数器计数K1次,在输入所述输入模块的信号有效时,每计数一次输入数据赋值给RAM,且每次赋值给RAM的位数为A。

4.如权利要求3所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,当输入信号有效时,计数器从0开始计算,输入数据按[A(k1-n)-1:A(k1-n-1)]的方式赋值给RAM,n为计数器当前的计数值,且0≤n<k1。

5.如权利要求4所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,计数器计数次数达到k1次且信号有效时,所述写地址加1。

6.如权利要求2所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,根据输出模块中的输出数据的位宽比从RAM中将数据读出至RAM控制顶层的输出模块具体地为:计数器在外部读使能信号有效时开始计数,计数器计数K2次,每计数一次RAM赋值给输出模块,且每次赋值给输出模块的位数为B。

7.如权利要求6所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,计数器的初始值为0,当外部读使能信号有效时开始计数,当计数完K2则置1;当外部读使能信号无效时,且计数完K2时则清0;循环计数。

8.如权利要求7所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,计数器从0开始计数,并将计数器延迟一拍,RAM从延迟计数器的计数值为1开始赋值给输出模块,且延迟计数器每计数一次,RAM按[B(k2-m+1)-1:B(k2-m)]的方式赋值给输出模块,m为延迟计数器当前的计数值,1≤m≤k2。

9.如权利要求8所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,计数器计数值为1时,RAM读使能有效,所述读地址加1。

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