[发明专利]RAM的读写控制方法在审
申请号: | 202111386213.9 | 申请日: | 2021-11-22 |
公开(公告)号: | CN114265796A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 赵强 | 申请(专利权)人: | 四川和芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | ram 读写 控制 方法 | ||
1.一种RAM的读写控制方法,其特征在于,包括如下步骤:
a.外部数据输入RAM控制顶层的输入模块,获取输入数据的位宽信息;
b.根据RAM的位宽信息配置输入模块中输入数据的位宽比与RAM控制顶层的输出模块中输出数据的位宽比;
c.产生RAM写使能信号与写地址信息,根据输入模块中的输入数据的位宽比将外部数据写入RAM内;
d.产生RAM读使能信号与读地址信息,根据输出模块中的输出数据的位宽比从RAM中将数据读出至输出模块。
2.如权利要求1所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,设定RAM的位宽为K,输入数据的位宽为A,输出数据的位宽为B,输入数据的位宽比为k1,输出数据的位宽比为k2,则满足:k1*A=K=k2*B,其中k1与k2为自然数。
3.如权利要求2所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,根据输入模块中的输入数据的位宽比将外部数据写入RAM内具体地为:计数器计数K1次,在输入所述输入模块的信号有效时,每计数一次输入数据赋值给RAM,且每次赋值给RAM的位数为A。
4.如权利要求3所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,当输入信号有效时,计数器从0开始计算,输入数据按[A(k1-n)-1:A(k1-n-1)]的方式赋值给RAM,n为计数器当前的计数值,且0≤n<k1。
5.如权利要求4所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,计数器计数次数达到k1次且信号有效时,所述写地址加1。
6.如权利要求2所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,根据输出模块中的输出数据的位宽比从RAM中将数据读出至RAM控制顶层的输出模块具体地为:计数器在外部读使能信号有效时开始计数,计数器计数K2次,每计数一次RAM赋值给输出模块,且每次赋值给输出模块的位数为B。
7.如权利要求6所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,计数器的初始值为0,当外部读使能信号有效时开始计数,当计数完K2则置1;当外部读使能信号无效时,且计数完K2时则清0;循环计数。
8.如权利要求7所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,计数器从0开始计数,并将计数器延迟一拍,RAM从延迟计数器的计数值为1开始赋值给输出模块,且延迟计数器每计数一次,RAM按[B(k2-m+1)-1:B(k2-m)]的方式赋值给输出模块,m为延迟计数器当前的计数值,1≤m≤k2。
9.如权利要求8所述的RAM的读写控制方法,其特征在于,计数器计数值为1时,RAM读使能有效,所述读地址加1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川和芯微电子股份有限公司,未经四川和芯微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111386213.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。