[发明专利]RAM的读写控制方法在审

专利信息
申请号: 202111386213.9 申请日: 2021-11-22
公开(公告)号: CN114265796A 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 赵强 申请(专利权)人: 四川和芯微电子股份有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省成都市高新区*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: ram 读写 控制 方法
【说明书】:

发明公开了一种RAM的读写控制方法,其包括如下步骤:a.外部数据输入RAM控制顶层的输入模块,获取输入数据的位宽信息;b.根据RAM的位宽信息配置输入模块中输入数据的位宽比与RAM控制顶层的输出模块中输出数据的位宽比;c.产生RAM写使能信号与写地址信息,根据输入模块中的输入数据的位宽比将外部数据写入RAM内;d.产生RAM读使能信号与读地址信息,根据输出模块中的输出数据的位宽比从RAM中将数据读出至输出模块。本发明的RAM的读写控制方法减少了开发人员的重复性工作,且可适用于同一个项目中不同的模块以及不同的项目模块,提高了通用性。

技术领域

本发明涉及数据缓存交互领域,更具体地涉及一种RAM的读写控制方法。

背景技术

随机存取存储器(英语:Random Access Memory,缩写:RAM),也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入或读出数据。其在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果;因此,RAM在各数据缓存交互领域被广泛应用。比如在某项目中,涉及到数据缓存、DMA操作、数据流交互等功能,其中RAM位宽为64bit,A模块数据位宽为32bit,B模块数据位宽为16bit;A模块部分由于数据位宽与RAM位宽是两倍关系,通过时钟二分频信号对读写使能控制以及数据位宽转换;B模块部分由于数据位宽与RAM位宽是四倍关系,通过计数方式进行读写使能控制以及数据位宽转换。

但在上述所使用的RAM控制方中,在同一个项目中,当有多个模块需要对RAM进行访问时,由于各个模块的数据位宽以及读写使能各不相同,就需要多次编写读写控制逻辑;当开发新项目时,模块之间又发生了变化,控制逻辑又要重新进项编写;因此不仅限制了使用的灵活性与应用范围,同时还给开发人员带来了很多重复性工作,降低了工作效率。

因此,有必要提供一种改进的RAM的读写控制方法来克服上述缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种RAM的读写控制方法,本发明的RAM的读写控制方法减少了开发人员的重复性工作,且可适用于同一个项目中不同的模块以及不同的项目模块,提高了通用性。

为实现上述目的,本发明提供了一种RAM的读写控制方法,其包括如下步骤:

a.外部数据输入RAM控制顶层的输入模块,获取输入数据的位宽信息;

b.根据RAM的位宽信息配置输入模块中输入数据的位宽比与RAM控制顶层的输出模块中输出数据的位宽比;

c.产生RAM写使能信号与写地址信息,根据输入模块中的输入数据的位宽比将外部数据写入RAM内;

d.产生RAM读使能信号与读地址信息,根据输出模块中的输出数据的位宽比从RAM中将数据读出至输出模块。

较佳地,设定RAM的位宽为K,输入数据的位宽为A,输出数据的位宽为B,输入数据的位宽比为k1,输出数据的位宽比为k2,则满足:k1*A=K=k2*B,其中k1与k2为自然数。

较佳地,根据输入模块中的输入数据的位宽比将外部数据写入RAM内具体地为:计数器计数K1次,在输入所述输入模块的信号有效时,每计数一次且信号有效时,输入数据赋值给RAM,且每次赋值给RAM的位数为A。

较佳地,当输入信号有效时,计数器从0开始计算,输入数据按[A(k1-n)-1:A(k1-n-1)]的方式赋值给RAM],n为计数器当前的计数值,且0≤n<k1。

较佳地,计数器计数次数达到k1次且信号有效时,所述写地址加1。

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