[发明专利]闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种闪存的坏存储单元测试方法，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

对所述芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；

利用备用的存储单元替换所述坏存储单元；

对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；

将所述查错结果记录在校验位上；

根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果。

2.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述对所述芯片进行全芯片数据查错处理的过程以8字节地址为查错单位。

3.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，在执行所述利用备用的存储单元替换所述坏存储单元的步骤的过程中，若无能进行替换的所述备用的存储单元时，输出坏芯片结果。

4.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述二次查错处理仅包括读取数据检测。

5.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述将所述查错结果记录在校验位上的步骤包括：将所述查错结果转换为数据1或数据0，将所述数据1或所述数据0记录在所述校验位上。

6.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述校验位为一个。

7.根据权利要求1所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其特征在于，所述利用备用的存储单元替换所述坏存储单元的步骤包括：采用冗余区中的所述备用的存储单元替换所述坏存储单元。

8.一种闪存的坏存储单元测试装置，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，其特征在于，所述装置包括：

第一查错模块，用于对所述芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；

替换模块，用于利用备用的存储单元替换所述坏存储单元；

第二查错模块，用于对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；

记录模块，用于将所述查错结果记录在校验位上；

结果模块，用于根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果。

9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-7任一所述方法中的步骤。

10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-7任一所述方法中的步骤。