[发明专利]闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质

说明书

本发明涉及芯片技术领域，具体公开了一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括以下步骤：对芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；利用备用的存储单元替换坏存储单元；对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；将所述查错结果记录在校验位上；根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果；该方法对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。

技术领域

本申请涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

nor flash作为一种非易失性存储器，其生产后需要经过多道测试程序，如以未减划硅片为对象的测试, 以封装片为对象的测试等，以筛选出性能合格的芯片。

芯片测试程序中涉及坏存储单元测试项的测试，该测试项测试流程包括：对芯片全片写入数据，然后用读数据的方式进行全片检查，以确认芯片中是否有坏的存储单元，若无坏存储单元则芯片通过该测试项；若存在坏存储单元，则在替换掉坏存储单元后，再次用读数据的方式进行全片检查，若仍存在坏存储单元则报废芯片。

若芯片中存在坏存储单元时，该测试项的测试方式涉及两次完整的全片检查且测试结果需基于整个检查流程进行判断，测试效率低。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请的目的在于提供一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质，以提高坏存储单元测试项的测试效率。

第一方面，本申请提供了一种闪存的坏存储单元测试方法，用于对nor flash芯片进行坏存储单元测试项测试，所述方法包括以下步骤：

对所述芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；

利用备用的存储单元替换所述坏存储单元；

对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；

将所述查错结果记录在校验位上；

根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果。

本申请实施例的一种闪存的坏存储单元测试方法，对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，该方法还将二次查错处理的测试结果记录在校验位上，使得二次查错处理过程不作结果判定，而是基于校验位上记录的数据获取测试结果，简化了查错处理的逻辑，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。

所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述对所述芯片进行全芯片数据查错处理的过程以8字节地址为查错单位。

所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，在执行所述利用备用的存储单元替换所述坏存储单元的步骤的过程中，若无能进行替换的所述备用的存储单元时，输出坏芯片结果。

所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述二次查错处理仅包括读取数据检测。

在该示例的闪存的坏存储单元测试方法中，全芯片数据查错处理中的写入过程对芯片进行了全片的数据写入，也包括了对备用的存储单元写入数据；因此，二次查错处理过程仅包括读取数据检测，免去了数据再次写入步骤，从而提高测试效率。

所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述将所述查错结果记录在校验位上的步骤包括：将所述查错结果转换为数据1或数据0，将所述数据1或所述数据0记录在所述校验位上。

所述的一种闪存的坏存储单元测试方法，其中，所述校验位为一个。