[发明专利]一种磁性材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种R-T-B系磁体，其特征在于，所述R-T-B系磁体含有Al元素，所述Al元素在晶界中的浓度大于其在晶粒中的浓度。

2.根据权利要求1所述的R-T-B系磁体，其特征在于，将所述Al元素在晶界中的浓度记为A，所述Al元素在晶粒中的浓度记为a，A/a的取值范围为1.5～4；其中，所述浓度为距离所述R-T-B系磁体表面500±10μm处的浓度值。

优选地，所述Al元素富集在R-T-B系磁体的晶界处和三相点处。

优选地，所述Al元素沿所述R-T-B系磁体的表面至中心处呈梯度分布。

根据本发明的实施方案，所述R-T-B系磁体中Al的质量含量为0.5-2.5％。

3.根据权利要求1或2所述的R-T-B系磁体，其特征在于，所述R-T-B系磁体含有重稀土元素RH，例如所述重稀土元素RH选自Dy或Tb的至少一种。

优选地，所述RH元素在晶界中的浓度大于其在晶粒中的浓度；

优选地，将所述RH元素在晶界中的浓度记为C，所述RH元素在晶粒中的浓度记为c，C/c的取值范围＞2，例如为3～8；其中，所述浓度为距离所述R-T-B系磁体表面500±10μm处的浓度值。

优选地，所述RH元素沿所述R-T-B系磁体的表面至中心处呈梯度分布。

优选地，所述R-T-B系磁体的Hcj不低于1800。

优选地，所述R-T-B系磁体由扩散源对R-T-B系烧结基体进行扩散处理得到。

优选地，所述扩散处理包括：使所述R-T-B系烧结基体与所述辅助扩散源和所述重稀土元素RH扩散源发生动态接触，进行充分扩散。

4.根据权利要求1-3任一项所述的R-T-B系磁体，其特征在于，所述R-T-B系烧结基体的原料中含有Al、B和Co中的一种、两种或三种；

优选地，所述扩散源包括重稀土元素RH扩散源和辅助扩散源；

例如，所述重稀土元素RH扩散源中重稀土元素RH的质量含量不低于60％；

优选地，所述RH扩散源为块状。

优选地，所述辅助扩散源含有质量分数不低于60％的Al元素。

优选地，所述辅助扩散源为球形。

5.一种元素扩散方法，其特征在于，包括使用扩散源对所述R-T-B系烧结基体进行扩散处理；所述扩散处理包括：使所述R-T-B系烧结基体与所述辅助扩散源和所述重稀土元素RH扩散源发生动态接触，进行充分扩散。

6.根据权利要求5所述的元素扩散方法，其特征在于，所述扩散源包括权利要求4所述的辅助扩散源和权利要求4所述的重稀土元素RH扩散源。

优选地，所述扩散处理在扩散室中进行。

优选地，所述动态接触通过下述方式实现：将所述重稀土元素RH扩散源分散固定在扩散室的腔体内壁上，所述辅助扩散源与R-T-B系烧结基体置于扩散室的腔体内，随着扩散室整体旋转、振动、翻转，使所述R-T-B系烧结基体、辅助扩散源和重稀土元素RH扩散源动态接触。

优选地，所述扩散处理包括：第一次加热扩散，第一次冷却，第二次加热扩散，第二次冷却；

所述第一次加热扩散的温度为400-600℃，所述第一次加热扩散的时间为1-5h；

所述第二次加热扩散的温度为700-950℃，所述第二次加热扩散的时间为1-5h。

7.根据权利要求6所述的元素扩散方法，其特征在于，所述扩散室包括扩散室本体和扩散室腔体，在所述扩散室腔体的内壁上设置重稀土元素RH扩散源的固定位，使重稀土元素RH扩散源分布固定在所述内壁上。

优选地，所述扩散室内还设置搅拌叶片。

优选地，所述扩散室还包括机械轴，所述机械轴带动扩散室转动。

优选地，所述扩散室还设置通气排气装置，使得扩散室内保持真空或含惰性气体的氛围。

优选地，所述扩散室的外周部设置加热装置。