[发明专利]半导体制备装置在审

专利信息
申请号: 202111387359.5 申请日: 2021-11-22
公开(公告)号: CN116145105A 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 朱海洋;荆学珍;刘月华;伍斌 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/455
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 唐嘉
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 制备 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体制备装置,其特征在于,包括:

腔体;

位于所述腔体内的工作台;

位于所述工作台上方的盖板,所述盖板具有相对的第一表面和第二表面,所述第二表面面向所述工作台,所述盖板边缘与所述腔体侧壁固定;

位于所述腔体上方的光源;

位于腔体底部的第一基板,所述第一基板内具有若干沿垂直于第二表面贯穿所述第一基板表面的若干第一基板孔洞,所述第一基板投影于所述第二表面的图形为第一图形,所述第一图形为中心对称图形,所述第一图形的对称中心与第二表面的中心重合。

2.如权利要求1所述的半导体制备装置,其特征在于,还包括:供气管道,所述供气管道与所述第一基板孔洞相连。

3.如权利要求1所述的半导体制备装置,其特征在于,所述若干第一基板孔洞投影于所述第二表面的图形包括若干第一图形组,各组第一图形组包括若干对应于各第一基板孔洞的孔洞图形,同一第一图形组的各孔洞图形中心离所述第二表面的中心的距离相等,不同第一图形组的各孔洞图形中心离所述第二表面的中心的距离不同。

4.如权利要求3所述的半导体制备装置,其特征在于,各所述第一基板孔洞投影于所述第二表面的图形包括圆形。

5.如权利要求4所述的半导体制备装置,其特征在于,同一第一图形组的各孔洞图形的直径相同;不同第一图形组的各孔洞图形的直径相同或不同。

6.如权利要求1所述的半导体制备装置,其特征在于,还包括:位于所述第一基板与所述工作台上表面之间的第二基板,所述第二基板内具有若干沿垂直于第二表面贯穿所述第二基板表面的第二基板孔洞,所述第二基板投影于所述第二表面的图形为第二图形,所述第二图形为中心对称图形,所述第二图形的对称中心与第二表面的中心重合。

7.如权利要求6所述的半导体制备装置,其特征在于,所述第二基板的数量大于或等于1。

8.如权利要求6所述的半导体制备装置,其特征在于,所述第二基板孔洞投影于所述第二表面的图形包括同心圆环。

9.如权利要求6所述的半导体制备装置,其特征在于,所述若干第二基板孔洞投影于所述第二表面的图形包括若干第二图形组,各组第二图形组包括若干对应于各第二基板孔洞的孔洞图形,同一第二图形组的各孔洞图形中心离所述第二表面的中心的距离相等,不同第二图形组的各孔洞图形中心离所述第二表面的中心的距离不同。

10.如权利要求9所述的半导体制备装置,其特征在于,各所述第二基板孔洞投影于所述第二表面的图形包括圆形。

11.如权利要求10所述的半导体制备装置,其特征在于,同一第二图形组的各孔洞图形的直径相同;不同第二图形组的各孔洞图形的直径相同或不同。

12.如权利要求1所述的半导体制备装置,其特征在于,所述盖板的构成材料包括二氧化硅。

13.如权利要求1所述的半导体制备装置,其特征在于,所述光源包括紫外线光源。

14.如权利要求1所述的半导体制备装置,其特征在于,所述盖板具有若干沿垂直于第二表面贯穿盖板的通气孔。

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