[发明专利]半导体制备装置

说明书

一种半导体制备装置，包括：腔体；位于所述腔体内的工作台；位于所述工作台上方的盖板，所述盖板具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面面向所述工作台，所述盖板边缘与所述腔体侧壁固定；位于所述腔体上方的光源；位于腔体底部的第一基板，所述第一基板内具有若干沿垂直于第二表面贯穿所述第一基板表面的若干第一基板孔洞，所述第一基板投影于所述第二表面的图形为第一图形，所述第一图形为中心对称图形，所述第一图形的对称中心与第二表面的中心重合。所述半导体制备装置的使用寿命更长，同时使制备工艺的稳定性更高。

技术领域

本发明涉及半导体制造的工艺设备领域，尤其涉及一种半导体制备装置。

背景技术

随着半导体行业的发展，制备尺寸更小、结构更精密的半导体器件逐渐成为重要的行业趋势。其中，精密半导体器件中通常包括高深宽比结构，例如半导体器件中的浅沟槽隔离区、层间介质层等。

流动式化学气相沉积(Flowable Chemical Vapor Deposition，简称FCVD)由于其良好的阶梯覆盖性与充分填充孔隙的能力，被广泛运用于高深宽比孔隙的填充工艺中。在制备过程中，使用FCVD工艺形成流动式膜层后，还需对流动式膜层进行固化处理，以完成孔隙填充。由于固化处理的过程中易产生副产物沉积在半导体制备装置的腔体内，影响器件的制备效果，因此需要对半导体制备装置进行定期清洁。

然而，在现有的半导体制备装置的清洁工艺中，由于半导体制备装置的结构限制，清洁气体在半导体制备装置的腔体内分布不均匀，导致清洁过程中腔体内的部分区域受到过度清洁，并产生杂质颗粒，从而损坏了腔体内的部件，缩短了腔体的使用寿命，同时影响了制备工艺的稳定性，降低了良品率。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体制备装置，在清洁过程中，清洁气体在半导体制备装置的腔体内均匀分布，以解决清洁过程中腔体内部件受到过度清洁的问题，从而延长了半导体装置的使用寿命，并提升了制备工艺的稳定性，提升了良品率。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种半导体制备装置，包括：腔体；位于所述腔体内的工作台；位于所述工作台上方的盖板，所述盖板具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面面向所述工作台，所述盖板边缘与所述腔体侧壁固定；位于所述腔体上方的光源；位于腔体底部的第一基板，所述第一基板内具有若干沿垂直于第二表面贯穿所述第一基板表面的若干第一基板孔洞，所述第一基板投影于所述第二表面的图形为第一图形，所述第一图形为中心对称图形，所述第一图形的对称中心与第二表面的中心重合。

可选的，半导体制备装置还包括：供气管道，所述供气管道与所述第一基板孔洞相连。

可选的，所述若干第一基板孔洞投影于所述第二表面的图形包括若干第一图形组，各组第一图形组包括若干对应于各第一基板孔洞的孔洞图形，同一第一图形组的各孔洞图形中心离所述第二表面的中心的距离相等，不同第一图形组的各孔洞图形中心离所述第二表面的中心的距离不同。

可选的，各所述第一基板孔洞投影于所述第二表面的图形包括圆形。

可选的，同一第一图形组的各孔洞图形的直径相同；不同第一图形组的各孔洞图形的直径相同或不同。

可选的，半导体制备装置还包括：位于所述第一基板与所述工作台上表面之间的第二基板，所述第二基板内具有若干沿垂直于第二表面贯穿所述第二基板表面的第二基板孔洞，所述第二基板投影于所述第二表面的图形为第二图形，所述第二图形为中心对称图形，所述第二图形的对称中心与第二表面的中心重合。

可选的，所述第二基板的数量大于或等于1。

可选的，所述第二基板孔洞投影于所述第二表面的图形包括同心圆环。