[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202111388726.3 申请日: 2021-11-22
公开(公告)号: CN114566481A 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 竹胁善朗;本山启太 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/52;H01L21/67;H01L23/49
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具有:

绝缘基板,其在表面形成有金属电路图案;以及

金属端子,其经由硬钎料而接合于所述金属电路图案之上,

在所述金属电路图案之上设置有凸起,

所述凸起与所述硬钎料接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述凸起以将所述金属端子与所述金属电路图案接合的区域包围的方式配置。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,

所述凸起以将所述金属端子与所述金属电路图案接合的区域离散地包围的方式配置。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,

所述凸起以将所述金属端子与所述金属电路图案接合的区域连续地包围的方式配置。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,

所述凸起未被所述硬钎料覆盖。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其中,

所述凸起是将金属导线接合于所述金属电路图案之上而形成的。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其中,

所述凸起包含绝缘性的材料。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,

所述绝缘性的材料是树脂。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置,其中,

在所述金属端子与所述金属电路图案经由所述硬钎料进行的所述接合中,所述金属端子在沿所述金属端子的延伸方向的两侧的端部处与所述金属电路图案接合,另外,所述金属端子在沿所述金属端子的延伸方向的中央部分处至少局部地具有没有与所述金属电路图案接合的部分。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中,

在所述金属端子与所述金属电路图案经由所述硬钎料进行的所述接合中,所述金属端子在沿所述金属端子的延伸方向的两侧的端部处与所述金属电路图案接合,另外,所述金属端子在沿所述金属端子的延伸方向的中央部分处整体地为没有与所述金属电路图案接合的部分。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置,其中,

就所述金属端子的厚度而言,在与所述金属电路图案接合的部分处,沿所述金属端子的延伸方向的两侧的端部比中央部分薄。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置,其中,

还具有半导体元件,

所述半导体元件接合于所述金属电路图案之上。

13.一种半导体装置的制造方法,在该半导体装置的制造方法中,

准备在表面形成有金属电路图案且在所述金属电路图案之上形成有凸起的绝缘基板,

以与所述凸起接触的方式将硬钎料配置于所述金属电路图案之上,

经由所述硬钎料而将金属端子接合于所述金属电路图案,

在经由所述硬钎料而将所述金属端子接合于所述金属电路图案时,使所述硬钎料中的位于所述金属端子中的沿所述金属端子的延伸方向的两侧的端部正下方的部分熔融,所述硬钎料中的位于所述金属端子中的沿所述金属端子的延伸方向的中央部正下方的部分至少局部地没有熔融。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法,其中,

在经由所述硬钎料而将所述金属端子接合于所述金属电路图案时,使所述硬钎料中的位于所述金属端子中的沿所述金属端子的延伸方向的两侧的端部正下方的部分熔融,所述硬钎料中的位于所述金属端子中的沿所述金属端子的延伸方向的中央部正下方的部分都没有熔融。

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