[发明专利]一种鳍结构造型方法、器件、存储介质及机台

权利要求书

1.一种鳍结构造型方法，其特征在于，包括：

刻蚀区图形转移步骤（11），构造第一刻蚀区与第二刻蚀区于衬底（100）之上；所述第一刻蚀区包括至少两条第一工艺沟道（201、202、203、204），所述至少两条第一工艺沟道（201、202、203、204）之间构造有至少一鳍造型区（301、302、303）；所述鳍造型区（301、302、303）为所述衬底（100）的鳍状凸起；所述鳍状凸起上自所述衬底（100）侧依次构造有第一隔离层（101）和第一临时层（102）；所述第一隔离层（101）由第一介质填充；

层间介质构造步骤（22），填充所述第一介质到所述第一工艺沟槽（201、202、203、204）的空白区域中；

第一台阶构造步骤（33），回刻所述第一临时层（102）所在的区域及所述第一工艺沟道（201、202、203、204）填充所述第一介质后的区域，形成第一台阶（311、312、313）；

第二、第三台阶构造步骤（44），构造第二临时层（103）于所述第一台阶（311、312、313）的侧面；其中所述第一台阶（311、312、313）的高度为第一台阶高度（401）；以所述衬底（100）为终止层，沿水平方向由外至内回刻所述第二临时层（103）形成第二台阶（321、322、323）和第三台阶（331、332、333）；其中，所述第二台阶（321、322、323）沿垂直于晶圆表面方向的尺寸为第一宽度（501），所述第三台阶沿垂直于晶圆表面方向的尺寸为第二宽度（502）；

表面处理步骤（55），氧化或实施表面处理所述衬底（100）于所述第二台阶（321、322、323）及所述第三台阶（331、332、333）处裸露部分预设的深度或持续氧化或实施表面处理预设的时长；形成第一处理层（611、612、613）及第二处理层（621、622、623），所述第一处理层（611、612、613）沿垂直于晶圆底面方向的深度为第一处理深度，所述第二处理层（621、622、623）沿平行于所述晶圆底面方向的深度为第二处理深度；

台阶清理步骤（66），去除所述鳍造型区（301、302、303）的所述第二临时层（103）、所述第一处理层（611、612、613）及所述第二处理层（621、622、623），在所述鳍造型区（301、302、303）与所述第一工艺沟道（201、202、203、204）相接处形成凹槽结构（701、702、703）。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

鳍面处理步骤，氧化或实施表面处理所述鳍构造区（301、302、303）的表面，形成预设厚度的第三处理层（631、632、633）；所述第三处理层（631、632、633）将所述鳍构造区（301、302、303）封盖于其内部。

3.如权利要求2所述的方法，还包括：

临时包裹步骤，填充第三临时层（104）于所述第一工艺沟道（201、202、203、204）直至覆盖所述晶圆表面。

4.如权利要求3所述的方法，其中：

平坦化所述第三临时层（104）；

所述平台化过程采用CMP制程。

5.如权利要求3所述的方法，其中：

所述第三临时层（104）为伪多晶硅层；

所述伪多晶硅层用于伪栅极的构造。

6.如权利要求1-5的任一所述的方法，其中：

所述衬底（100）为硅衬底；

所述第一隔离层（101）为硅氧化层或由硅氧化物构造；

所述第三处理层由硅氧化物构造或其成分为硅氧化物。

7.如权利要求6所述的方法，其中：

所述第一介质为硅氧化物；

所述第一临时层（102）由第二介质填充，所述第二介质与所述第三临时层（104）采用相同的材料构造。