[发明专利]一种鳍结构造型方法、器件、存储介质及机台

说明书

本发明实施例公开了一种鳍结构造型方法、器件、存储介质及机台；其中，鳍造型方法在保持良好防穿透性能的同时，通过鳍结构收缩的APT（Anti Punch Through）区域，获得了高的载流子迁移率；其中，通过刻蚀区、层间介质的预设及回刻获得了沟槽和鳍结构，通过三处台阶处理和表面处理，形成了APT凹槽结构；相关的器件、存储介质及机台同样以上述结构为核心，改善了APT特性和产品的整体性能。

技术领域

本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种鳍结构造型方法、器件、存储介质及机台。

背景技术

APT（Anti Punch Through）防穿透区域常采用掺杂方式进行构造，其包含副作用；当掺杂物出现非预期的扩散时将变得更糟，因而也就限制了采用掺杂方式来改善迁移率的适用性；进而需要一种既能保证良好的APT性能，又可以获得更高迁移率的方法或产品。

发明内容

本发明公开了一种鳍结构造型方法、器件、存储介质及机台；采用一种收缩的鳍结构，有效控制了相应区域的穿透特性。

其中，在刻蚀区图形转移步骤，通过构造第一刻蚀区与第二刻蚀区于衬底之上；为器件或结构的造型设立功能区。

其第一刻蚀区包括至少两条第一工艺沟道，该至少两条第一工艺沟道之间构造有至少一鳍造型区；该鳍造型区为衬底的鳍状凸起；该鳍状凸起上自衬底侧依次构造有第一隔离层和第一临时层；其中的第一隔离层由第一介质填充。

进一步地，在层间介质构造步骤，填充第一介质到第一工艺沟槽的空白区域中，为后续功能结构的造型提供基材。

进一步地，通过第一台阶构造步骤，回刻第一临时层所在的区域及第一工艺沟道填充第一介质后的区域，目的在于形成第一台阶；该第一台阶将成为鳍结构的主体部分。

紧接着，在第二、第三台阶构造步骤，通过构造第二临时层于第一台阶的侧面，为后续结构的处理构造中间结构。

其中，第一台阶的高度为第一台阶高度；此时，以衬底为终止层，沿水平方向由外至内回刻第二临时层形成第二台阶和第三台阶；使第二台阶沿垂直于晶圆表面方向的尺寸为第一宽度，使第三台阶沿垂直于晶圆表面方向的尺寸为第二宽度。

进一步地，通过表面处理步骤氧化或实施表面处理衬底于第二台阶及第三台阶处裸露部分预设的深度或持续氧化或实施表面处理预设的时长；形成第一处理层及第二处理层。

其中，第一处理层沿垂直于晶圆底面方向的深度为第一处理深度，第二处理层沿平行于晶圆底面方向的深度为第二处理深度。

进一步地，在台阶清理步骤，去除鳍造型区的第二临时层、第一处理层及第二处理层，在鳍造型区与第一工艺沟道相接处形成凹槽结构。

进一步地，还可包括鳍面处理步骤，通过氧化或实施表面处理鳍构造区的表面，形成预设厚度的第三处理层；其中，第三处理层将鳍构造区封盖于其内部。

进一步地，还可包括临时包裹步骤，通过填充第三临时层于第一工艺沟道直至覆盖所述晶圆表面，为后续工艺步骤提供连片的加工区；可进行后续的刻蚀或图形化等操作。

进一步地，上述平坦化可针对第三临时层来推行；其中，平台化过程可采用CMP制程或方法。

进一步地，其第三临时层可以是伪多晶硅层；该伪多晶硅层用于伪栅极的构造。

具体地，上述衬底可以为硅衬底；其第一隔离层可以为硅氧化层或由硅氧化物构造；第三处理层可由硅氧化物构造或其成分为硅氧化物。

进一步地，第一介质可以为硅氧化物；第一临时层由第二介质填充，第二介质与第三临时层可采用相同的材料构造。