[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

有源区，设置在基底上并且在第一方向上延伸；

多个沟道层，设置在所述有源区上以在与所述基底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开；

栅极结构，设置在所述基底上，在第二方向上延伸，与所述多个沟道层交叉，并且围绕所述多个沟道层中的每个；以及

源区/漏区，在所述栅极结构的至少一个侧表面上设置在所述有源区上，并且连接到所述多个沟道层中的每个，

其中，所述源区/漏区包括：第一外延层，具有下端部分和从所述下端部分沿着所述多个沟道层的侧表面连续延伸的侧壁部分，所述第一外延层掺杂有第一杂质；以及第二外延层，设置在所述第一外延层上，具有与所述第一外延层的成分不同的成分，并且掺杂有与所述第一杂质不同的第二杂质，

其中，所述第一杂质在所述第一外延层的所述成分中的扩散率低于所述第二杂质在所述第一外延层的所述成分中将具有的扩散率。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延层包括硅锗，并且所述第二外延层包括硅。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在所述第一外延层中的锗的成分比在5％至15％的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一杂质包括砷和锑中的至少一种，并且所述第二杂质包括磷。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一外延层包括具有第一浓度的所述第一杂质，并且所述第二外延层包括具有比所述第一浓度高的第二浓度的所述第二杂质。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二浓度在所述第一浓度的1.5倍至15倍的范围内。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一浓度在0.3at％至8.0at％的范围内。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延层的所述侧壁部分具有在所述竖直方向上朝向所述第一外延层的上部分减小的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延层的所述下端部分具有与所述第一外延层的所述下端部分形成在其上的表面垂直且比所述第一外延层的所述侧壁部分的厚度大的厚度，

其中，所述第一外延层的所述侧壁部分的所述厚度被限定为在所述多个沟道层之中的中间沟道层上的所述第一外延层的厚度。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第一外延层的下端部分的所述厚度在所述第一外延层的所述侧壁部分的所述厚度的3.5倍至5倍的范围内。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延层接触所述多个沟道层的所述侧表面。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延层具有与所述多个沟道层的侧表面对应的凸表面。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括内部间隔层，所述内部间隔层设置在所述多个沟道层的下表面下方并且在所述栅极结构的在所述第一方向上的侧表面上。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源区/漏区还包括设置在所述第一外延层和所述第二外延层之间的第三外延层。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述第三外延层具有与所述第二外延层的成分相同的成分，并且具有比所述第二外延层的杂质浓度低的杂质浓度。