[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储装置的操作方法，所述非易失性存储装置包括多条字线，每条字线对应于多个物理页，包括：

选取当前字线的目标物理页，以第一步长为递变量，以第一初始读电压为第一读电压的初始值，以第一读电压阈值为所述第一读电压的终值，以循环递变步骤向所述当前字线施加所述第一读电压，并记录所述目标物理页上所有存储单元的失败位计数值；

确定所述目标物理页的最佳第一读电压，在所述最佳第一读电压下，所述目标物理页上所有存储单元的失败位计数值最小；

以第二步长为递变量，以所述最佳第一读电压为第二读电压的初始值，以第二读电压阈值为所述第二读电压的终值，以循环递变步骤向所述当前字线施加所述第二读电压，并记录所述当前字线的每个物理页的所有存储单元的失败位计数值，其中，所述第二步长小于所述第一步长；以及

确定所述当前字线的每个物理页的最佳第二读电压，在所述最佳第二读电压下，所述当前字线的每个物理页的所有存储单元的失败位计数值最小。

2.如权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述目标物理页对应多个读水平，多个所述最佳第一读电压与所述多个读水平一一对应。

3.如权利要求2所述的操作方法，其特征在于，获得所述目标物理页的失败位计数值的步骤包括：从所述多个读水平中选取一目标读水平，所述目标读水平位于第一编程态和第二编程态之间，在所述目标物理页中，获得处于第一编程态的存储单元的第一失败位计数值和处于第二编程态的存储单元的第二失败位计数值，所述目标物理页在所述目标读水平的失败位计数值等于所述第一失败位计数值和所述第二失败位计数值之和。

4.如权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述多个物理页中的每个物理页对应多个读水平，所述每个物理页包括多个所述最佳第二读电压，多个所述最佳第二读电压与所述多个读水平一一对应。

5.如权利要求4所述的操作方法，其特征在于，获得每个所述物理页的失败位计数值的步骤包括：从所述多个读水平中选取一目标读水平，所述目标读水平位于第一编程态和第二编程态之间，在每个所述物理页中，获得处于第一编程态的存储单元的第一失败位计数值和处于第二编程态的存储单元的第二失败位计数值，所述物理页在所述目标读水平的失败位计数值等于所述第一失败位计数值和所述第二失败位计数值之和。

6.如权利要求1所述的操作方法，其特征在于，以循环递变步骤向所述当前字线施加所述第一读电压时，仅向所述当前字线的目标物理页施加所述第一读电压。

7.如权利要求1所述的操作方法，其特征在于，以循环递变步骤向所述当前字线施加所述第二读电压时，同时向所述当前字线的所有物理页施加所述第二读电压。

8.一种非易失性存储装置，包括：

多条字线，每条字线对应于多个物理页；

控制器，配置为：

选取当前字线的目标物理页，以第一步长为递变量，以第一初始读电压为第一读电压的初始值，以第一读电压阈值为所述第一读电压的终值，以循环递变步骤向所述当前字线施加所述第一读电压，并记录所述目标物理页上所有存储单元的失败位计数值；

确定所述目标物理页的最佳第一读电压，在所述最佳第一读电压下，所述目标物理页上所有存储单元的失败位计数值最小；

以第二步长为递变量，以所述最佳第一读电压为第二读电压的初始值，以第二读电压阈值为所述第二读电压的终值，以循环递变步骤向所述当前字线施加所述第二读电压，并记录所述当前字线上每个物理页的所有存储单元的失败位计数值，其中，所述第二步长小于所述第一步长；以及

确定所述当前字线的每个物理页的最佳第二读电压，在所述最佳第二读电压下，所述当前字线上的每个物理页的所有存储单元的失败位计数值最小。

9.如权利要求8所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述目标物理页对应多个读水平，多个所述最佳第一读电压与所述多个读水平一一对应。