[发明专利]阵列基板、掩膜板、显示装置及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，所述衬底基板包括显示区和扇出区，所述扇出区设置有多条栅线，相邻所述栅线的间距为4.2μm至4.7μm。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线的间距小于或等于4.5μm。

3.一种掩膜板，其特征在于，包括：全透区及半透区，所述全透区与衬底基板的显示区相对应，所述半透区与所述衬底基板的扇出区相对应；

所述半透区上与栅线对应区域的宽度区间为2.2μm至2.5μm。

4.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述半透区上与栅线对应区域的宽度区间为小于或等于2.5μm。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1或2所述的阵列基板。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的扇出区上形成金属层，在所述金属层上涂覆光刻胶；

通过半透式掩膜板对所述光刻胶进行曝光，以形成光刻胶保留部分；其中，所述半透式掩膜板上对应栅线之间间隙的部分为半透区域；对应所述栅线的所述光刻胶保留部分的宽度区间为2.2μm至2.5μm；

对所述衬底基板进行干法刻蚀，去除所述半透区域对应的所述光刻胶保留部分及对应的所述金属层，以在所述衬底基板上形成所述栅线；其中，由于所述栅线对应的所述光刻胶保留部分的宽度区间为2.2μm至2.5μm，干法刻蚀后所述栅线之间的间距为4.2μm至4.7μm。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述半透式掩膜板上对应栅线的部分为全遮区域；

所述通过半透式掩膜板对所述光刻胶进行曝光，以形成光刻胶保留部分，包括：

曝光完成后，全遮区域对应的所述光刻胶保留部分的所述光刻胶全部保留，半透区域对应的所述光刻胶保留部分的所述光刻胶部分保留，以形成两区域对应的所述光刻胶保留部分之间的差异。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述半透区域对应的所述光刻胶保留部分的宽度区间为2.0μm至2.2μm。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述衬底基板，还包括显示区；

所述通过半透式掩膜板对所述光刻胶进行曝光，包括：

对所述扇出区对应的所述光刻胶通过所述半透式掩膜板进行曝光的同时对所述显示区对应的所述光刻胶通过全透式掩膜板进行曝光。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底基板进行干法刻蚀之前，还包括：

对所述衬底基板的进行湿法刻蚀；对所述显示区对应的所述金属层进行刻蚀以形成与所述光刻胶保留部分相对应的刻蚀图案。