[发明专利]阵列基板、掩膜板、显示装置及阵列基板的制作方法

说明书

本申请提供的一种阵列基板、掩膜板、显示装置及阵列基板的制作方法，包括：衬底基板，所述衬底基板包括显示区和扇出区，所述扇出区设置有多条栅线，相邻所述栅线的间距为4.2μm至4.7μm。本申请通过将扇出区的栅线间距降低至4.2μm至4.7μm，从而将布线间距从5.5μm降低了1μm左右，相比之下降低了18％左右的间距距离。通过调整基板制作过程中的掩膜板，使扇出区的掩膜板从全透改变为半透，从而在完成光刻时，半透区域对应的金属层上还会有光刻胶保留，从而保护扇出区的金属层不会进行湿法刻蚀，从而降低了栅线的CDBias，从而降低了栅线间的间距，进而为实现更窄的边框提供了技术支持。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、掩膜板、显示装置及阵列基板的制作方法。

背景技术

显示装置的边框区域设置有扇出区(Fan-out区)，然而，目前的Fan-out区因为内部的栅线间距(Gate Pitch)较大(5.5μm至5.7μm)导致Fan-out区的面积较大。而较大的走线排布间距必然会为窄边框的设计带来技术瓶颈，不利于发展显示装置窄边框化的潮流。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提出一种阵列基板、掩膜板、显示装置及阵列基板的制作方法。

基于上述目的，本申请提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，所述衬底基板包括显示区和扇出区，所述扇出区设置有多条栅线，相邻所述栅线的间距为4.2μm至4.7μm。

基于同一构思，本申请还提供了一种掩膜板，包括：全透区及半透区，所述全透区与衬底基板的显示区相对应，所述半透区与所述衬底基板的扇出区相对应；

所述半透区上与栅线对应区域的宽度区间为2.2μm至2.5μm。

基于同一构思，本申请还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

基于同一构思，本申请还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板的扇出区上形成金属层，在所述金属层上涂覆光刻胶；

通过半透式掩膜板对所述光刻胶进行曝光，以形成光刻胶保留部分；其中，所述半透式掩膜板上对应栅线之间间隙的部分为半透区域；对应所述栅线的所述光刻胶保留部分的宽度区间为2.2μm至2.5μm；

对所述衬底基板进行干法刻蚀，去除所述半透区域对应的所述光刻胶保留部分及对应的所述金属层，以在所述衬底基板上形成所述栅线；其中，由于所述栅线对应的所述光刻胶保留部分的宽度区间为2.2μm至2.5μm，干法刻蚀后所述栅线之间的间距为4.2μm至4.7μm。

从上面所述可以看出，本申请提供的一种阵列基板、掩膜板、显示装置及阵列基板的制作方法，包括：衬底基板，所述衬底基板包括显示区和扇出区，所述扇出区设置有多条栅线，相邻所述栅线的间距为4.2μm至4.7μm。本申请通过将扇出区的栅线间距降低至4.2μm至4.7μm，从而将布线间距从5.5μm降低了1μm左右，相比之下降低了18％左右的间距距离。通过调整基板制作过程中的掩膜板，使扇出区的掩膜板从全透改变为半透，从而在完成光刻时，半透区域对应的金属层上还会有光刻胶保留，从而保护扇出区的金属层不会进行湿法刻蚀，从而降低了栅线的CDBias，从而降低了栅线间的间距，进而为实现更窄的边框提供了技术支持。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例的参数CDBias的计算方式示意图；

图2为本申请实施例提出的一种阵列基板的扇出区截面结构示意图；