[发明专利]一种光学镜片反射膜及其制备方法在审
申请号: | 202111396613.8 | 申请日: | 2021-11-23 |
公开(公告)号: | CN114089454A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 丁磊 | 申请(专利权)人: | 苏州镭云海创光电科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/08 | 分类号: | G02B5/08;G02C7/14;C23C14/24;C23C14/18;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/54 |
代理公司: | 苏州汇诚汇智专利代理事务所(普通合伙) 32623 | 代理人: | 庄米雪 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学镜片 反射 及其 制备 方法 | ||
1.一种光学镜片反射膜,其特征在于,光学镜片反射膜从镜片基材的表面到外依次设有第一层Ag膜层、第二层YF3膜层、第三层ZnS膜层、第四层YF3膜层和第五层ZnS膜层。
2.根据权利要求1所述的一种光学镜片反射膜,其特征在于,第一层Ag膜层的厚度(h1)为190-210nm,第二层YF3膜层的厚度(h2)为685-715nm,第三层ZnS膜层的厚度(h3)为140-160nm,第四层YF3膜层的厚度(h4)为580-610nm,第五层ZnS膜层的厚度(h5)为780-815nm。
3.根据权利要求2所述的一种光学镜片反射膜,其特征在于,第一层Ag膜层的厚度(h1)为200nm,第二层YF3膜层的厚度(h2)为700nm,第三层ZnS膜层的厚度(h3)为150nm,第四层YF3膜层的厚度(h4)为600nm,第五层ZnS膜层的厚度(h5)为800nm。
4.根据权利要求3所述的一种光学镜片反射膜,其特征在于,所述镜片基材为热塑性聚酯、玻璃、石英或蓝宝石。
5.一种光学镜片反射膜的制备方法,包括以下步骤,
S1、通过薄膜光学的基本知识和分析方法,结合软件进行优化,模拟计算得到第一层Ag膜层的厚度(h1)、第二层YF3膜层的厚度(h2)、第三层ZnS膜层的厚度(h3)、第四层YF3膜层的厚度(h4)、第五层ZnS膜层的厚度(h5);
S2、对镜片基材进行清洗、干燥;
S3、采用真空蒸镀的方法对镜片基材镀反射膜。
6.根据权利要求5所述的一种光学镜片反射膜的制备方法,其特征在于,步骤S3镀反射膜的具体步骤如下:
S31、将真空镀膜舱内的真空度调整至大于或等于5.0×10-3帕,并控制真空镀膜舱内的温度为220-240℃,采用霍尔离子源轰击银,银蒸发后以纳米级分子形式沉积于镜片基片的外表面形成第一膜层,第一膜层的厚度为190-210nm;
S32、将真空镀膜舱内的真空度调整至大于或等于5.0×10-3帕,并控制真空镀膜舱内的温度为50-70℃,采用霍尔离子源轰击YF3,YF3蒸发后以纳米级分子形式沉积于第一膜层的外表面形成第二膜层,第二膜层的厚度为685-715nm;
S33、将真空镀膜舱内的真空度调整至大于或等于5.0×10-3帕,并控制真空镀膜舱内的温度为50-70℃,采用霍尔离子源轰击ZnS,ZnS蒸发后以纳米级分子形式沉积于第二膜层的外表面形成第三膜层,第三膜层的厚度为140-160nm;
S34、将真空镀膜舱内的真空度调整至大于或等于5.0×10-3帕,并控制真空镀膜舱内的温度为50-70℃,采用霍尔离子源轰击YF3,YF3蒸发后以纳米级分子形式沉积于第三膜层的外表面形成第四膜层,第四膜层的厚度为580-610nm;
S35、将真空镀膜舱内的真空度调整至大于或等于5.0×10-3帕,并控制真空镀膜舱内的温度为50-70℃,采用霍尔离子源轰击ZnS,ZnS蒸发后以纳米级分子形式沉积于第四膜层的外表面形成第五膜层,第五膜层的厚度为780-815nm。
7.根据权利要求5所述的一种光学反射膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S2,对镜片基材的清洗具体步骤如下:
S21、将镜片基体先放入双氧水和浓硫酸的混合溶液浸泡,再超声25-30min;
S22、将镜片基体放入异丙醇溶剂中超声25-30min;
S23、用去离子水和蒸馏水漂洗;
S24、清洗结束后将镜片基体置于烘箱干燥,干燥后固定在基片台上,然后将基片台旋紧在真空腔室的转盘上。
8.根据权利要求1所述的一种光学镜片反射膜的制备方法,其特征在于,利用膜厚仪监控薄膜的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州镭云海创光电科技有限公司,未经苏州镭云海创光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111396613.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。