[发明专利]一种硅片生产用高温臭氧氧化装置有效
申请号: | 202111397626.7 | 申请日: | 2021-11-23 |
公开(公告)号: | CN114121730B | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 常亮;居建华 | 申请(专利权)人: | 无锡思锐电子设备科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 苏州根号专利代理事务所(普通合伙) 32276 | 代理人: | 仇波 |
地址: | 214112 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 生产 高温 臭氧 氧化 装置 | ||
本发明公开了一种硅片生产用高温臭氧氧化装置,包括工作台和壳体,所述壳体上设置有进料口和出料口,所述工作台的上侧壁设置有用于对硅片进行输送的输送机构,且输送机构通过驱动机构进行驱动,所述壳体内设置有多组用于对硅片进行加热的加热机构和用于对硅片表面进行氧化的氧化机构。该种硅片生产用高温臭氧氧化装置,采用陶瓷滚动轴对硅片进行输送,具有更好的耐高温性能,同时,在灯腔组内设置多个内置流道,向内置流道内通入循环冷却水,从而对下灯腔和上灯腔进行降温处理,避免高温对输送机构造成损坏,并且,在陶瓷滚动轴和传动轴之间设置有密封圈,起到缓震效果,能够避免输送过程中震动造成的影响,保证其使用寿命和输送效率。
技术领域
本发明涉及硅片生产技术领域,尤其涉及一种硅片生产用高温臭氧氧化装置。
背景技术
臭氧是一种绿色环保的强氧化剂,广泛地应用于消毒、灭菌、去除有机污染物、脱色除臭、食物保鲜和空气净化等诸多领域,其有效性已经得到了人们的一致认可。现有的硅片生产用高温臭氧氧化装置主要由输送机构、加热机构和臭氧氧化机构组成,在使用时,采用一定浓度的臭氧通过臭氧氧化机构在高温下对硅片表面进行氧化,从而形成一层氧化膜保护硅片。
然而,该种硅片生产用高温臭氧氧化装置在使用时,高温和震动容易导致输送机构损坏,需要经常维修和更换,浪费人力物力,同时,影响硅片的生产效率。
发明内容
为实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:一种硅片生产用高温臭氧氧化装置,包括工作台和壳体,所述壳体上设置有进料口和出料口,所述工作台的上侧壁设置有用于对硅片进行输送的输送机构,且输送机构通过驱动机构进行驱动,所述壳体内设置有多组用于对硅片进行加热的加热机构和用于对硅片表面进行氧化的氧化机构,且加热机构和氧化机构位于输送机构的上方;
所述输送机构包括固定连接在工作台上侧壁两个对称设置的固定板,且固定板两个相对的侧壁通过传动轴转动连接有多个阵列设置的陶瓷滚动轴,所述陶瓷滚动轴套设在传动轴的侧壁上,且陶瓷滚动轴和传动轴之间设置有缓震组件,所述传动轴的侧壁固定套设有挡板;
各组所述加热机构包括灯腔组,且灯腔组包括下灯腔和上灯腔,所述下灯腔固定连接在工作台的上侧壁,且上灯腔设置在固定板的上侧壁上,所述陶瓷滚动轴插设在下灯腔内,且上灯腔的两端固定连接有灯罩壳,所述上灯腔内设置有加热灯管,且灯腔组内设置有降温组件。
优选的,所述缓震组件包括开设在各个传动轴侧壁上的多个环形槽,且环形槽内套设有密封圈,所述密封圈与陶瓷滚动轴的内侧壁相抵。
优选的,所述驱动机构包括固定连接在工作台侧壁上的驱动电机,所述驱动电机的输出端贯穿工作台的侧壁并固定连接有主动皮带轮,且位于同一侧的传动轴的一端贯穿固定板的侧壁并固定连接有从动皮带轮,所述工作台的侧壁设置有多个张紧轮,且从动皮带轮、张紧轮和主动皮带轮之间通过皮带传动。
优选的,所述降温组件包括设置在灯腔组内的内置流道,且内置流道的侧壁设置有进水管和出水管,所述进水管和出水管的另一端贯穿灯腔组的侧壁设置。
优选的,各个所述内置流道的侧壁开设有多个阵列设置的第一散热槽。
优选的,所述灯腔壳组的侧壁开设有多个阵列设置的第二散热槽。
优选的,各组所述氧化机构包括固定连接在固定板两个相对侧壁上两个对称设置的第一型材,且第一型材的上侧壁固定连接有臭氧框架,所述臭氧框架的上侧壁固定连接有两个对称设置的第二型材,且第二型材的上侧壁固定连接有顶板,所述臭氧框架的下方设置有U形的喷淋板,且喷淋板的下侧壁通过支撑条固定连接有喷淋面板,所述喷淋面板的侧壁设置有多个气孔,所述臭氧框架的侧壁设置有多个臭氧喷头,且臭氧喷头贯穿喷淋板的下侧壁设置。
本发明提供的技术方案带来的有益效果是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造