[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底一侧的功能层，以及所述功能层背离所述衬底一侧的连接线；所述功能层中包括多个功能单元，以及在垂直所述衬底表面的方向上贯穿所述功能层的隔离结构，所述隔离结构在平行所述衬底表面的方向延伸，以将所述多个功能单元分隔为多组；所述连接线用于与所述功能单元电连接；所述隔离结构在所述衬底表面上的投影和所述连接线在所述衬底表面上的投影相交。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述连接线包括沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分；

所述第一方向与所述隔离结构在平行衬底表面的延伸方向相交，所述第一部分在所述衬底表面的投影与所述隔离结构在所述衬底表面的投影具有重叠区域；和/或，所述第二方向与所述隔离结构在平行衬底表面的延伸方向相交，所述第二部分在所述衬底表面的投影与所述隔离结构在所述衬底表面的投影具有重叠区域。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在沿所述隔离结构在平行衬底表面的延伸方向上，所述连接线为蛇形走线或锯齿形走线。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构和所述连接线均为多个，多个所述隔离结构平行设置；

存在至少一个所述连接线在所述衬底表面上的投影和一个所述隔离结构在所述衬底表面上的投影具有多个重叠区域；和/或，存在至少一个所述连接线在所述衬底表面上的投影与多个所述隔离结构在所述衬底表面的投影均具有重叠区域。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述功能层包括所述衬底一侧的第一膜层；

或，所述功能层包括所述衬底一侧的第一膜层，以及所述第一膜层背离所述衬底的一侧的第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层之间设置有键合层；所述功能单元包括所述第一膜层中的第一单元和所述第二膜层中的第二单元；所述隔离结构包括所述第一膜层中的第一结构和所述第二膜层中的第二结构。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一膜层包括第一堆叠层，所述第一堆叠层包括依次层叠的绝缘层和栅极层，所述第一单元为存储单元，所述第一结构在垂直所述衬底表面的方向上贯穿所述第一堆叠层；同一组的第一单元沿垂直衬底表面的方向堆叠，所述第一结构包括沿垂直所述衬底表面的方向延伸的导体结构以及所述导体结构侧壁的绝缘结构，所述导体结构与所述衬底中的掺杂结构连接，作为公共源极。

7.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述连接线的材料为铝。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底一侧形成功能层；所述功能层中包括多个功能单元，以及在垂直所述衬底表面的方向上贯穿所述功能层的隔离结构，所述隔离结构在平行所述衬底表面的方向延伸，以将所述多个功能单元分隔为多组；

在所述功能层背离所述衬底一侧形成连接线；所述连接线用于与所述功能单元电连接；所述隔离结构在所述衬底表面上的投影和所述连接线在所述衬底表面上的投影相交。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述功能层背离所述衬底一侧形成连接线，包括：

在所述功能层背离所述衬底一侧形成导体层，对所述导体层进行刻蚀形成连接线；

或，在所述功能层背离所述衬底一侧形成介质层，对所述介质层进行刻蚀得到布线槽，在所述布线槽中形成导体材料，所述导体材料作为连接线。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述连接线包括沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分；

所述第一方向与所述隔离结构在平行衬底表面的延伸方向相交，所述第一部分在所述衬底表面的投影与所述隔离结构在所述衬底表面的投影具有重叠区域；和/或，所述第二方向与所述隔离结构在平行衬底表面的延伸方向相交，所述第二部分在所述衬底表面的投影与所述隔离结构在所述衬底表面的投影具有重叠区域。