[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

说明书

本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括衬底一侧的功能层，以及功能层背离衬底一侧的连接线，功能层中可以包括多个功能单元，以及在垂直所述衬底表面的方向上贯穿所述功能层的隔离结构，所述隔离结构在平行所述衬底表面的方向延伸，以将所述多个功能单元分隔为多组；所述连接线用于与所述功能单元电连接，隔离结构与功能层形成方式不同，延伸方向不同，因此隔离结构和功能层的接触位置的机械强度较差，容易断裂，因此可以设置隔离结构和连接线在衬底表面上的投影相交，即可以在隔离结构正上方设置连接线，连接线跨过隔离结构设置，从而可以增强隔离结构和功能层的接触位置的机械强度，从而增强半导体器件的整体机械强度。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

现有电子产品对于芯片大容量、超薄等需求越来越旺盛，为此，芯片制造工艺在不断改进，芯片堆叠层数增多以满足大容量的要求，同时随着堆叠层数的增多，每层芯片的厚度也必须降低，减薄后的芯片需要具有足够的强度(strength)来保证芯片堆叠的可靠性。然而目前芯片存在强度上的缺陷。

发明内容

为了解决以上技术问题，本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，以提高半导体器件的机械强度。

本申请实施例提供了一种半导体器件，包括：

衬底一侧的功能层，以及所述功能层背离所述衬底一侧的连接线；所述功能层中包括多个功能单元，以及在垂直所述衬底表面的方向上贯穿所述功能层的隔离结构，所述隔离结构在平行所述衬底表面的方向延伸，以将所述多个功能单元分隔为多组；所述连接线用于与所述功能单元电连接；所述隔离结构在所述衬底表面上的投影和所述连接线在所述衬底表面上的投影相交。

可选的，所述连接线包括沿第一方向延伸的第一部分和沿第二方向延伸的第二部分；

所述第一方向与所述隔离结构在平行衬底表面的延伸方向相交，所述第一部分在所述衬底表面的投影与所述隔离结构在所述衬底表面的投影具有重叠区域；和/或，所述第二方向与所述隔离结构在平行衬底表面的延伸方向相交，所述第二部分在所述衬底表面的投影与所述隔离结构在所述衬底表面的投影具有重叠区域。

可选的，在沿所述隔离结构在平行衬底表面的延伸方向上，所述连接线为蛇形走线或锯齿形走线。

可选的，所述隔离结构和所述连接线均为多个，多个所述隔离结构平行设置；

存在至少一个所述连接线在所述衬底表面上的投影和一个所述隔离结构在所述衬底表面上的投影具有多个重叠区域；和/或，存在至少一个所述连接线在所述衬底表面上的投影与多个所述隔离结构在所述衬底表面的投影均具有重叠区域。

可选的，所述功能层包括所述衬底一侧的第一膜层；

或，所述功能层包括所述衬底一侧的第一膜层，以及所述第一膜层背离所述衬底的一侧的第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层之间设置有键合层；所述功能单元包括所述第一膜层中的第一单元和所述第二膜层中的第二单元；所述隔离结构包括所述第一膜层中的第一结构和所述第二膜层中的第二结构。

可选的，所述第一膜层包括第一堆叠层，所述第一堆叠层包括依次层叠的绝缘层和栅极层，所述第一单元为存储单元，所述第一结构在垂直所述衬底表面的方向上贯穿所述第一堆叠层；同一组的第一单元沿垂直衬底表面的方向堆叠，所述第一结构包括沿垂直所述衬底表面的方向延伸的导体结构以及所述导体结构侧壁的绝缘结构，所述导体结构与所述衬底中的掺杂结构连接，作为公共源极。

可选的，所述连接线的材料为铝。

本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，包括：