[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

漂移区，具有第一导电类型；

体区，位于所述漂移区的第一表层且形成有沟道，所述体区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

栅极区，位于所述漂移区的第一表层并覆盖所述沟道，且延伸覆盖至所述体区的表面；

源极区，设置在所述体区远离所述漂移区的表面，并与所述栅极区相邻设置；

电阻结构，设置在所述漂移区的第一表层，包括相对的第一端和第二端，所述第一端与所述栅极区电连接；

漏极区，位于所述漂移区的第二表层，与所述第二端电连接，所述第二表层与所述第一表层相对设置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电阻结构包括：

第一氧化层，位于所述漂移区的第一表层；

多晶硅条，位于所述第一氧化层远离所述漂移区的表面，所述多晶硅条的延伸方向上设置有第一接点和第二接点，所述第一接点作为所述第一端，所述第二接点作为所述第二端。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述多晶硅条包括多条呈阵列排布的晶条，各所述晶条之间串联连接或并联连接。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二接点位于所述多晶硅条的端部，所述电阻结构还包括：

绝缘层，覆盖在所述第一氧化层和所述多晶硅条远离所述漂移区的表面，且外露所述第二接点。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述源极区与所述绝缘层相邻设置或所述绝缘层至少部分嵌入所述源极区。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述电阻结构还包括：

导电层，覆盖所述第二接点，且与所述漏极区电连接。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述体区包括：

掺杂阱，位于所述漂移区的第一表层且具有第二导电类型；

结终端延伸区，位于所述漂移区的第一表层且与所述掺杂阱交叠。

8.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极区在平行于所述漂移区的方向至少部分内嵌于所述源极区。

9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有第一掺杂类型的衬底，并于所述衬底上形成漂移区，所述漂移区具有第一导电类型；

于所述漂移区的第一表层形成体区，所述体区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

于所述漂移区的第一表层形成栅极区，所述栅极区覆盖所述沟道并延伸覆盖至所述体区的表面；

于所述漂移区的第一表层形成源极区，所述源极区与所述栅极区相邻设置；

于所述漂移区的第一表层形成电阻结构，所述电阻结构包括相对的第一端和第二端，所述第一端与所述栅极区电连接；

于所述漂移区的第二表层形成漏极区，所述漏极区与所述第二端电连接，所述第二表层与所述第一表层相对设置。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，于所述漂移区的第一表层形成电阻结构包括：

于所述漂移区的第一表层热氧生长第一氧化层；

于所述第一氧化层淀积多晶硅层，并向所述多晶硅层分别注入P31离子，N+离子和P+离子；

对所述多晶硅层进行光刻和干法刻蚀得到多晶硅条，其中多晶硅条包括多条呈阵列排布的晶条。