[发明专利]一种晶圆或SOI晶圆的处理方法

权利要求书

1.一种晶圆或SOI晶圆的处理方法，其特征在于，该方法包括：

提供一晶圆；所述晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；

涂覆第一光刻胶，并光刻；

刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；

去除所述第一光刻胶；

涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区；

对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；

去除所述第二光刻胶；

涂覆第三光刻胶，覆盖所述P型侧壁、所述第一欧姆接触区；

对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N型的侧壁；

去除所述第三光刻胶；

其中，

0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β-α1)≤75度；60度≤(β-α2)≤75度；

或者，

提供一晶圆；所述晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；

涂覆第一光刻胶，并光刻；

刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；

去除所述第一光刻胶；

涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区；

对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N型的侧壁；

去除所述第二光刻胶；

涂覆第三光刻胶，覆盖所述N型侧壁、所述第二欧姆接触区；

对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；

去除所述第三光刻胶；

其中，

0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β-α1)≤75度；60度≤(β-α2)≤75度；

或者，

提供一具有锗外延或锗硅外延的晶圆；所述锗外延或所述锗硅外延表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；

涂覆第一光刻胶，并光刻；

刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；

去除所述第一光刻胶；

涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区；

对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；

去除所述第二光刻胶；

涂覆第三光刻胶，覆盖已形成的所述P型侧壁、所述第一欧姆接触区；

对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N型的侧壁；

去除所述第三光刻胶；

其中，

0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β-α1)≤75度；60度≤(β-α2)≤75度；

或者，

提供一具有锗外延或锗硅外延的晶圆；所述锗外延或所述锗硅外延表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；

涂覆第一光刻胶，并光刻；

刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；

去除所述第一光刻胶；

涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区；

对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N型的侧壁；

去除所述第二光刻胶；

涂覆第三光刻胶，覆盖所述N型侧壁、所述第二欧姆接触区；

对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；

去除所述第三光刻胶；

其中，

0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β-α1)≤75度；60度≤(β-α2)≤75度；

或者，

提供一SOI晶圆；所述SOI晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；

涂覆第一光刻胶，并光刻；

刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；

去除所述第一光刻胶；

涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区；

对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；

去除所述第二光刻胶；

涂覆第三光刻胶，覆盖所述P型侧壁、所述第一欧姆接触区；

对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N型的侧壁；

去除所述第三光刻胶；

其中，

0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β-α1)≤75度；60度≤(β-α2)≤75度；

或者，

提供一SOI晶圆；所述SOI晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；

涂覆第一光刻胶，并光刻；

刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；

去除所述第一光刻胶；

涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区；

对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N型的侧壁；

去除所述第二光刻胶；

涂覆第三光刻胶，覆盖所述N型侧壁、所述第二欧姆接触区；

对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；

去除所述第三光刻胶；

其中，

0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β-α1)≤75度；60度≤(β-α2)≤75度；

或者，

提供一具有锗外延或锗硅外延的SOI晶圆；所述锗外延或所述锗硅外延表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；

涂覆第一光刻胶，并光刻；

刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；

去除所述第一光刻胶；

涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区；

对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；

去除所述第二光刻胶；

涂覆第三光刻胶，覆盖已形成的所述P型侧壁、所述第一欧姆接触区；

对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N型的侧壁；

去除所述第三光刻胶；

其中，

0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β-α1)≤75度；60度≤(β-α2)≤75度；

或者，

提供一具有锗外延或锗硅外延的SOI晶圆；所述锗外延或所述锗硅外延表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；

涂覆第一光刻胶，并光刻；

刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；

去除所述第一光刻胶；

涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区；

对所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区进行N型离子注入，注入角度α2，形成N型的侧壁；

去除所述第二光刻胶；

涂覆第三光刻胶，覆盖所述N型侧壁、所述第二欧姆接触区；

对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；

去除所述第三光刻胶；

其中，

0度≤α1≤7度；0度≤α2≤7度；60度≤(β-α1)≤75度；60度≤(β-α2)≤75度。