[发明专利]一种晶圆或SOI晶圆的处理方法

说明书

本发明公开了一种晶圆或SOI晶圆的处理方法，该方法包括：提供一晶圆；所述晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；涂覆第一光刻胶，并光刻；刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；去除所述第一光刻胶；涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区；对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁。本发明通过对现有的干法刻蚀方法做出改进，改变其中的刻蚀角度，并选择刻蚀的离子注入角度，使四个区域的结的形成，在一次注入时即达到最佳化的效果，提高生产效率,整个刻蚀工艺缩短为两次离子注入。

技术领域

本发明涉及芯片生产技术领域，尤其涉及一种晶圆或SOI晶圆的处理方法及芯片、装置。

背景技术

刻蚀是半导体光电子器件制备过程中一项重要工艺，其目的是通过物理或化学的方法从半导体材料晶片表面选择性地去除材料以形成所需台面或图形。刻蚀工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种。干法刻蚀的图形精度和各向异性度都较高，且各项参数的可控性较好；湿法刻蚀具有良好的可重复性，具有操作简单、刻蚀速率快、无毒或低毒、良好的可重复性等优点。

光检测器是硅光子集成电路接收端中相当重要的一个组件。在光检测器的发展上，大致有两种不同的想法，一种是把三五族材料直接贴在绝缘层上覆硅 (SOI)基板上面，另一个重要的发展就是把三五族材料以PiN锗取代,本发明是基于后者。

该光检测器的结构是包括了一锗波导及在侧壁形成的PIN结，工作原理就是经由波导传播过来的光讯号，在锗发生了光转换成电的效应，产生的电子再由PIN结连接的金属传导出去,金属与结需是欧姆接触，以达电的最佳传导效能。

图1、图2为现有技术中对锗波导刻蚀工艺示意图。需要先让注入角度倾斜对侧壁处理，然后再让注入角度大致竖直对欧姆接触区进行处理。处理完后，然后再对另一侧同样处理。每侧各需两次注入，故共需要4次离子注入。

在中国专利申请号：CN202010812875.7中公开了一种锗波导探测器侧壁浅结离子注入工艺，先在锗波导上光刻出N型侧壁注入区和第一接触区，然后采用固定靶盘倾角的大束流离子注入设备分别对N型侧壁和第一接触区进行N型注入，之后在锗波导上光刻出P型侧壁注入区和第一接触区，再采用固定靶盘倾角的大束流离子注入设备分别对P型侧壁和第一接触区进行P型注入。该技术方案需要分别对N型侧壁和第一接触区N型注入，再分别对P型侧壁和第一接触区进行P型注入，需要进行四次注入加工，成本高，效率低。

在中国专利申请号：CN201910511822.9中公开了一种降低浮动误差的VDMOS 器件制作方法，其记载：C、掺杂离子以设置的注入角度进行体区注入，且分为 4次进行，每次注入体区剂量的1/4，且每注入一次将硅晶片在水平面上顺时针旋转90度后进行下一次注入。该技术方案需要四次注入，效率低。鉴于以上的不足，故提出本申请。

发明内容

为解决背景技术中存在的至少一个方面的技术问题，本发明提出一种晶圆或SOI晶圆的处理方法及芯片、装置，能够有效减少注入次数，提高效率，降低成本。

本发明提出的一种晶圆或SOI晶圆的处理方法，该方法包括：

提供一晶圆；所述晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜；

涂覆第一光刻胶，并光刻；

刻蚀处理，形成的刻蚀角度为β；刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区；

去除所述第一光刻胶；

涂覆第二光刻胶，覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区；

对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入，注入角度α1，形成P型的侧壁；

去除所述第二光刻胶；