[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202111405209.2 申请日: 2021-11-24
公开(公告)号: CN114093920A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 张扬;方金钢;王庆贺;周衡;杨成;余海;周斌 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 曲鹏
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 显示 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示基板,其特征在于,在平行于所述显示基板的平面内,所述显示基板包括多个像素发光区以及位于相邻像素发光区之间的多个像素空白区;在垂直于所述显示基板的平面内,所述显示基板包括基底、设置在所述基底上的功能层以及设置在所述功能层远离所述基底一侧的像素定义层;在所述像素发光区,所述像素定义层设置有像素开口;在所述像素空白区,所述像素定义层远离所述基底一侧的表面设置有至少一个像素凹槽;在所述像素凹槽所在区域,所述像素定义层的厚度大于或等于0.5μm。

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述功能层包括设置在所述基底上的驱动电路层、设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧的有机绝缘层;在所述像素空白区,所述有机绝缘层远离所述基底一侧的表面上设置有过渡凹槽,所述像素定义层设置在所述有机绝缘层远离所述基底的一侧,所述过渡凹槽在基底上的正投影与所述像素凹槽在基底上的正投影至少部分重叠。

3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述有机绝缘层的厚度为1.5μm至4μm,所述过渡凹槽的深度小于或等于所述有机绝缘层的厚度。

4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述过渡凹槽的深度为1.0μm至1.5μm。

5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,在所述像素凹槽所在区域,所述像素定义层的厚度等于所述过渡凹槽的深度。

6.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述像素开口和所述像素凹槽通过普通掩膜板的图案化工艺同步形成。

7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述功能层包括设置在所述基底上的驱动电路层、设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧的有机绝缘层,在所述像素空白区,所述有机绝缘层远离所述基底一侧的表面为平齐状,所述像素定义层设置在所述有机绝缘层远离所述基底的一侧。

8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,在所述像素凹槽以外区域,所述像素定义层具有第一像素厚度,在所述像素凹槽所在区域,所述像素定义层的厚度为0.3*第一像素厚度至0.5*第一像素厚度。

9.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述像素开口和所述像素凹槽通过半色调掩膜板的图案化工艺同步形成。

10.根据权利要求1至9任一项所述的显示基板,其特征在于,在平行于所述显示基板的平面内,所述过渡凹槽的宽度为4μm至10μm。

11.根据权利要求1至9任一项所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述显示基板的平面内,所述过渡凹槽的截面形状为倒梯形,所述过渡凹槽包括靠近所述基底一侧的过渡槽底和位于所述过渡槽底两侧的过渡槽壁,所述过渡槽底和/或所述过渡槽壁的形状为直线形、折线形或者曲线形。

12.根据权利要求11所述的显示基板,其特征在于,在所述过渡槽壁和过渡槽底的交界处,所述过渡槽壁与基准线之间的夹角为40°至60°,所述基准线为垂直于所述显示基板的平面的直线。

13.根据权利要求2或7所述的显示基板,其特征在于,所述功能层还包括彩膜结构层,所述彩膜结构层设置在所述驱动电路层远离所述基底的一侧,所述有机绝缘层设置在所述所述彩膜结构层远离所述基底的一侧。

14.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至13任一项所述的显示基板。

15.一种显示基板的制备方法,其特征在于,在平行于所述显示基板的平面内,所述显示基板包括多个像素发光区以及位于相邻像素发光区之间的多个像素空白区;所述制备方法包括:

在基底上形成功能层;

在所述功能层上形成像素定义层;在所述像素发光区,所述像素定义层形成有像素开口;在所述像素空白区,所述像素定义层远离所述基底一侧的表面形成有至少一个像素凹槽;在所述像素凹槽所在区域,所述像素定义层的厚度大于或等于0.5μm。

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