[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202111405209.2 申请日: 2021-11-24
公开(公告)号: CN114093920A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 张扬;方金钢;王庆贺;周衡;杨成;余海;周斌 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 曲鹏
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示 及其 制备 方法 显示装置
【说明书】:

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括多个像素发光区以及多个像素空白区;在垂直于所述显示基板的平面内,所述显示基板包括基底、功能层以及像素定义层;在所述像素发光区,所述像素定义层设置有像素开口;在所述像素空白区,所述像素定义层远离所述基底一侧的表面设置有至少一个像素凹槽;在所述像素凹槽所在区域,所述像素定义层的厚度大于或等于0.5μm。本公开通过在像素空白区的像素定义层上形成像素凹槽,且像素凹槽内像素定义层的厚度大于或等于0.5μm,不仅有效解决了因串色导致的色点偏移和色域下降问题,而且有效解决了像素空白区的漏光问题,提高了显示品质。

技术领域

本公开涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED为发光结构层、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。

经本申请发明人研究发现,现有OLED显示装置存在像素串色和漏光等问题,降低了显示品质。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开所要解决的技术问题是,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,以解决现有显示装置存在的像素串色和漏光等问题。

一方面,本公开提供了一种显示基板,在平行于所述显示基板的平面内,所述显示基板包括多个像素发光区以及位于相邻像素发光区之间的多个像素空白区;在垂直于所述显示基板的平面内,所述显示基板包括基底、设置在所述基底上的功能层以及设置在所述功能层远离所述基底一侧的像素定义层;在所述像素发光区,所述像素定义层设置有像素开口;在所述像素空白区,所述像素定义层远离所述基底一侧的表面设置有至少一个像素凹槽;在所述像素凹槽所在区域,所述像素定义层的厚度大于或等于0.5μm。

在示例性实施方式中,所述功能层包括设置在所述基底上的驱动电路层、设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧的有机绝缘层;在所述像素空白区,所述有机绝缘层远离所述基底一侧的表面上设置有过渡凹槽,所述像素定义层设置在所述有机绝缘层远离所述基底的一侧,所述过渡凹槽在基底上的正投影与所述像素凹槽在基底上的正投影至少部分重叠。

在示例性实施方式中,所述有机绝缘层的厚度为1.5μm至4μm,所述过渡凹槽的深度小于或等于所述有机绝缘层的厚度。

在示例性实施方式中,所述过渡凹槽的深度为1.0μm至1.5μm。

在示例性实施方式中,在所述像素凹槽所在区域,所述像素定义层的厚度等于所述过渡凹槽的深度。

在示例性实施方式中,所述像素开口和所述像素凹槽通过普通掩膜板的图案化工艺同步形成。

在示例性实施方式中,所述功能层包括设置在所述基底上的驱动电路层、设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧的有机绝缘层,在所述像素空白区,所述有机绝缘层远离所述基底一侧的表面为平齐状,所述像素定义层设置在所述有机绝缘层远离所述基底的一侧。

在示例性实施方式中,在所述像素凹槽以外区域,所述像素定义层具有第一像素厚度,在所述像素凹槽所在区域,所述像素定义层的厚度为0.3*第一像素厚度至0.5*第一像素厚度。

在示例性实施方式中,所述像素开口和所述像素凹槽通过半色调掩膜板的图案化工艺同步形成。

在示例性实施方式中,在平行于所述显示基板的平面内,所述过渡凹槽的宽度为4μm至10μm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111405209.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top