[发明专利]一种阵列基板及其制备方法在审
申请号: | 202111406753.9 | 申请日: | 2021-11-24 |
公开(公告)号: | CN116169154A | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 刘娜;朱平;张国涛 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
多个背板电极,间隔设置于所述衬底的第一表面一侧;
绝缘层,位于所述第一表面一侧,且所述绝缘层覆盖至少部分所述第一表面以及所述背板电极背离所述衬底一侧;其中,所述绝缘层对应所述背板电极的位置设置有开口;位于所述第一表面上的所述绝缘层具有背离所述衬底的第二表面,位于所述背板电极上的所述绝缘层具有背离所述衬底的第三表面,所述第二表面相对所述第三表面更靠近所述第一表面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
位于所述第一表面上的所述绝缘层还同时覆盖所述背板电极背离所述衬底一侧的部分表面;
位于所述第一表面上的所述绝缘层和位于所述背板电极上的所述绝缘层之间的间隙为所述开口。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
在沿所述衬底至所述背板电极的方向上,位于所述第一表面上的所述绝缘层的厚度大于所述背板电极的厚度且小于位于所述背板电极上的所述绝缘层的厚度与所述背板电极的厚度之和;
优选地,位于所述背板电极上的所述绝缘层的厚度范围为1微米至10微米,位于所述第一表面上的所述绝缘层的厚度范围为100纳米至1微米。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
焊料,位于所述开口内;
优选地,所述绝缘层的材质包括聚甲基丙烯酸甲酯、酚醛树脂、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的任意一种。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
可去除的保护层,至少覆盖所述焊料背离所述衬底一侧。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述保护层覆盖所述焊料背离所述衬底一侧、以及所述绝缘层背离所述衬底一侧;
优选地,所述保护层的厚度范围为20纳米至100纳米;
优选地,所述保护层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或者二氧化钛中的至少一种。
7.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述背板电极包括层叠设置的第一电极层、第二电极层和第三电极层,且所述第二电极层的导电率大于所述第一电极层和所述第三电极层的导电率;
其中,每个所述背板电极的所述第二电极层的厚度相同,用于与红色发光芯片邦定连接的所述第一电极层和所述第三电极层的厚度之和小于用于与蓝色发光芯片和绿色发光芯片邦定连接的所述第一电极层和所述第三电极层的厚度之和,以使得邦定连接后所述红色发光芯片、所述绿色发光芯片和所述蓝色发光芯片背离所述衬底的表面均位于同一水平面内;
优选地,所述第二电极层的材质包括铝、银、铜中至少一种,所述第一电极层和所述第三电极层的材质包括钛、钨、钼、氧化铟锡和氧化铟锌中至少一种。
8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底的第一表面一侧间隔设置多个背板电极;
在所述第一表面的一侧形成绝缘层,且所述绝缘层覆盖至少部分所述第一表面以及所述背板电极背离所述衬底一侧;其中,所述绝缘层对应所述背板电极的位置设置有开口;位于所述第一表面上的所述绝缘层具有背离所述衬底的第二表面,位于所述背板电极上的所述绝缘层具有背离所述衬底的第三表面,所述第二表面相对所述第三表面更靠近所述第一表面。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,
所述在所述第一表面一侧形成绝缘层的步骤之前,包括:在每个所述背板电极背离所述衬底的一侧的至少部分区域蒸镀焊料;
所述在所述第一表面的一侧形成绝缘层的步骤包括:利用喷墨打印的方式在所述第一表面一侧形成绝缘层,且所述绝缘层对应所述蒸镀焊料的位置设置有开口;其中,所述绝缘层的材质包括聚甲基丙烯酸甲酯、酚醛树脂中的任意一种。
10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述在所述第一表面一侧形成绝缘层的步骤之后,还包括:
在所述开口内形成焊料;
在所述焊料背离所述衬底的一侧形成可去除的保护层,所述保护层至少覆盖所述焊料背离所述衬底一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的