[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本申请公开了一种阵列基板及其制备方法，其中，阵列基板包括：衬底；多个背板电极，间隔设置于所述衬底的第一表面一侧；绝缘层，位于所述第一表面一侧，且所述绝缘层覆盖至少部分第一表面以及所述背板电极背离所述衬底一侧；其中，所述绝缘层对应所述背板电极的位置设置有开口；位于第一表面上的所述绝缘层具有背离所述衬底的第二表面，位于所述背板电极上的所述绝缘层具有背离所述衬底的第三表面，所述第二表面相对所述第三表面更靠近所述第一表面。通过上述方式，能够有效提高金属焊料的可靠性，提升邦定良率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

微型化LED(Micro LED)芯片显示技术，即发光芯片的微缩化和阵列化技术，是指在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，其具有效率高，响应时间短，寿命长、工作范围宽等优点，如今已广泛应用于电视、增强和虚拟现实(AR/VR)、车载显示、可穿戴设备以及智能手机等终端产品上。

然而，发明人经过长期研究发现，发光芯片与阵列基板之间的邦定技术是阻碍Micro LED显示大面积应用的技术瓶颈之一，现有的方案中没有很好的解决方式。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制备方法，能够有效提高金属焊料的可靠性，提升邦定良率。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括：衬底；多个背板电极，间隔设置于所述衬底的第一表面一侧；绝缘层，位于所述第一表面一侧，且所述绝缘层覆盖至少部分第一表面以及所述背板电极背离所述衬底一侧；其中，所述绝缘层对应所述背板电极的位置设置有开口；位于所述第一表面上的所述绝缘层具有背离所述衬底的第二表面，位于所述背板电极上的所述绝缘层具有背离所述衬底的第三表面，所述第二表面相对所述第三表面更靠近所述第一表面。该设计方式能够延长焊料的使用期限，有效提高焊料的可靠性，进而降低了切割、电阻测试等一系列中间过程对焊料造成的影响，有效提升了邦定良率。

其中，位于所述第一表面上的所述绝缘层还同时覆盖所述背板电极背离所述衬底一侧的部分表面；位于所述第一表面上的所述绝缘层和位于所述背板电极上的所述绝缘层之间的间隙为所述开口。提供了一种可实施方式。

其中，在沿所述衬底至所述背板电极的方向上，位于所述第一表面上的所述绝缘层的厚度大于所述背板电极的厚度且小于位于所述背板电极上的所述绝缘层的厚度与所述背板电极的厚度之和；位于所述背板电极上的所述绝缘层的厚度范围为1微米至10微米，位于所述第一表面上的所述绝缘层的厚度范围为100纳米至1微米。该设计方式结构简单，工艺上易于实现，在一定程度上降低整个阵列基板的厚度。

其中，所述阵列基板还包括焊料，位于所述开口内；优选地，所述绝缘层的材质包括聚甲基丙烯酸甲酯、酚醛树脂、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的任意一种。

其中，所述阵列基板还包括可去除的保护层，至少覆盖所述焊料背离所述衬底一侧。该设计方式能够避免因焊料流动导致相邻两个背板电极出现短路现象，同时提高对背板电极和焊料的保护作用。

其中，所述保护层覆盖所述焊料背离所述衬底一侧、以及所述绝缘层背离所述衬底一侧；优选地，所述保护层的厚度范围为20纳米至100纳米；优选地，所述保护层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或者二氧化钛中的至少一种。该设计方式能够避免焊料受到环境、时间、人为操作等因素的影响，有效延长焊料的使用期限。