[发明专利]一种半导体用晶圆扩晶系统在审
申请号: | 202111410268.9 | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN114242635A | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 许霞仂 | 申请(专利权)人: | 许霞仂 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 344000 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 用晶圆扩 晶系 | ||
1.一种半导体用晶圆扩晶系统,包括机壳(10),其特征在于:所述机壳(10)内设有动力腔(20),所述动力腔(20)左右两侧端面内对称设有两个带轮腔(17),所述动力腔(20)下端壁内设有偏轴轮腔(53),所述带轮腔(17)上端面内设有顶升腔(15),两个所述顶升腔(15)上端面内设有扩晶腔(13),所述扩晶腔(13)上端面内设有压块(14),所述压块(14)后端面内设有啮合轮腔(78),所述机壳(10)内设有扩晶机构(94)、辅助机构(95)、传动机构(96),所述扩晶机构(94)能够对晶圆进行挤压,使晶圆产生塑形变形,实现晶圆的扩晶,所述辅助机构(95)能够完成扩晶过程中加热,贴蓝膜等辅助工作,所述传动机构(96)能够为扩晶机构(94)、辅助机构(95)提供动力;
所述传动机构(96)包括所述动力腔(20)下端壁固定连接的驱动电机(52),所述驱动电机(52)动力连接有动力轴(59),所述动力轴(59)固定连接有磁力块(45),所述磁力块(45)内设有两个左右对称的磁力腔(44),所述磁力腔(44)下端壁固定连接有左右对称的两个电磁铁(37),所述磁力腔(44)内滑动连接有磁力板(38),所述磁力板(38)与所述磁力腔(44)上端壁连接设有磁力弹簧(43),所述磁力板(38)固定连接有贯穿所述磁力腔(44)的升降杆(42),所述升降杆(42)固定连接有位于所述动力腔(20)内的接触块(41)、摩擦块(48),所述动力腔(20)上下端壁之间转动连接有接触轮轴(40),所述接触轮轴(40)固定连接有接触轮(39)、主动轮(36),所述动力腔(20)下端壁转动连接有一端位于所述啮合轮腔(78)内的摩擦轮轴(46),所述摩擦轮轴(46)固定连接有位于所述动力腔(20)内的摩擦轮(47),所述带轮腔(17)下端壁转动连接有一端位于所述顶升腔(15)内的带轮轴(18),所述带轮轴(18)固定连接有位于所述带轮腔(17)内的传送带轮(16),两个所述传送带轮(16)与所述主动轮(36)之间连接设有传动带(35)。
2.据权利要求1所述的一种半导体用晶圆扩晶系统,其特征在于:所述扩晶机构(94)包括所述带轮轴(18)固定连接的位于所述顶升腔(15)内的转动块(21),所述转动块(21)内设有转动腔(91),所述转动腔(91)内滑动连接有转动板(23),所述转动板(23)与所述转动腔(91)下端壁之间连接设有转动弹簧(22),所述扩晶腔(13)内滑动连接有升降盘(29),所述升降盘(29)内设有上端开口的放置腔(28),所述放置腔(28)前后左右端壁内对称设有四个扶正腔(34),所述放置腔(28)下端壁内设有左右对称的两个液压腔(31)。
3.据权利要求2所述的一种半导体用晶圆扩晶系统,其特征在于:所述转动板(23)固定连接有一端位于所述液压腔(31)内的螺纹轴(11),所述顶升腔(15)上端壁内设有与所述机壳(10)固定连接的螺纹轴套(12),所述螺纹轴(11)与所述螺纹轴套(12)螺纹连接,所述螺纹轴(11)与所述液压腔(31)上端壁转动连接,所述螺纹轴(11)固定连接有位于所述液压腔(31)内的凸轮(27),所述液压腔(31)内滑动连接有左右对称的两个液压板(30),所述液压板(30)与所述液压腔(31)端壁之间连接设有液压弹簧(82),所述凸轮(27)与所述液压板(30)接触。
4.据权利要求1所述的一种半导体用晶圆扩晶系统,其特征在于:所述扶正弹簧(25)内滑动连接有从动板(33),所述从动板(33)与所述扶正腔(34)端壁之间连接设有扶正弹簧(25),所述从动板(33)固定连接有一端位于所述放置腔(28)内的扶正杆(26),所述扶正杆(26)固定连接有位于所述放置腔(28)内的扶正板(32)。
5.据权利要求1所述的一种半导体用晶圆扩晶系统,其特征在于:所述摩擦轮轴(46)固定连接有一端位于所述啮合轮腔(78)内的啮合轮(77),所述压块(14)下端壁转动连接有一端位于所述扩晶腔(13)内的扩晶块(73),所述啮合轮(77)与所述扩晶块(73)啮合,所述扩晶块(73)内设有左右对称的两个升降腔(74),所述升降腔(74)内滑动连接有升降板(75),所述升降板(75)与所述升降腔(74)上端壁之间连接设有升降弹簧(76)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造