[发明专利]降温装置及其降温控制方法在审
申请号: | 202111411361.1 | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN113903692A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 冯圣;胡明;臧宇;姚明明;曲参 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L27/32;H01L21/477 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨泽;臧建明 |
地址: | 230037 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 降温 装置 及其 控制 方法 | ||
1.一种降温装置,其特征在于,包括:
反应腔,所述反应腔由腔壁围合而成,所述反应腔包括多个空间单元,各所述空间单元中设置有温度检测装置,每个所述空间单元设置有至少一个与其连通的气体输送管,对于每个所述空间单元,至少在一个所述气体输送管上设置有流量调节装置;
控制器,与各所述流量调节装置、各所述温度检测装置信号连接,所述控制器用于根据各所述温度检测装置检测的温度对各所述流量调节装置进行控制,以调节各所述流量调节装置所在的气体输送管的流量。
2.根据权利要求1所述的降温装置,其特征在于,所述腔壁包括相对的第一侧壁和第二侧壁,各所述空间单元均由所述第一侧壁延伸至所述第二侧壁;
所述第一侧壁包括与所述多个空间单元一一对应的多个第一侧壁单元,所述气体输送管包括与所述第一侧壁单元连接的进气管,所述进气管上设置有所述流量调节装置;和/或,所述第二侧壁包括与所述多个空间单元一一对应的多个第二侧壁单元,所述气体输送管包括与所述第二侧壁单元连接的排气管,所述排气管上设置有所述流量调节装置;
优选地,所述第一侧壁的内壁面设置有第一导流板,所述第一导流板位于各所述进气管之间;和/或,所述第二侧壁的内壁面设置有第二导流板,所述第二导流板位于各所述排气管之间。
3.根据权利要求2所述的降温装置,其特征在于,所述空间单元包括沿其延伸方向依次相连的多个子空间,每个所述子空间中均设置有加热装置以及所述温度检测装置,各所述加热装置与所述控制器信号连接,所述控制器还用于根据同一空间单元内的各所述子空间中的温度检测装置检测的温度,调节该空间单元内各所述加热装置的加热功率。
4.根据权利要求2所述的降温装置,其特征在于,所述降温装置包括排气泵,各所述排气管的一端分别与所述第二侧壁连接,各所述排气管的另一端与所述排气泵连接;
优选地,所述排气泵与所述控制器信号连接,所述控制器还用于调节所述排气泵的排气流量。
5.根据权利要求1至4任一项所述的降温装置,其特征在于,设有流量调节装置的气体输送管上设置流量检测装置,各所述流量检测装置与所述控制器信号连接。
6.一种降温装置的降温控制方法,其特征在于,所述降温装置包括反应腔,所述反应腔由腔壁围合而成,所述反应腔包括多个空间单元,每个所述空间单元设置有至少一个与其连通的气体输送管;
所述降温控制方法包括:
获取各所述空间单元的温度值;
基于各所述空间单元的温度值,确定需要进行流量调节的目标气体输送管以及所述目标气体输送管的流量调节参数;
根据所述流量调节参数对所述目标气体输送管进行流量调节。
7.根据权利要求6所述的降温控制方法,其特征在于,对于每个所述空间单元,至少在一个所述气体输送管上设置有流量调节装置,所述流量调节参数包括流量调节装置的开度变化量;
优选地,基于各所述空间单元的温度值,确定需要进行流量调节的目标气体输送管的方法包括:
比较各所述空间单元的温度值,得到最低温度值;
将温度值高于所述最低温度值的空间单元对应的气体输送管确定为所述目标气体输送管;
优选地,所述流量调节装置的开度变化量为开度增加量ΔD1,所述开度增加量ΔD1的计算公式为:
ΔD1=k1×(T1-Tmin)+k2;
其中,k1为第一调节系数;
k2为第一补偿常数;
T1为目标气体输送管对应的空间单元的温度值;
Tmin为所述最低温度值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造