[发明专利]降温装置及其降温控制方法在审
申请号: | 202111411361.1 | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN113903692A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 冯圣;胡明;臧宇;姚明明;曲参 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L27/32;H01L21/477 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨泽;臧建明 |
地址: | 230037 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 降温 装置 及其 控制 方法 | ||
本申请提供一种降温装置及其降温控制方法,涉及降温工艺技术领域,用于解决降温装置在降温阶段存在的反应腔温度不均匀的技术问题,该降温装置包括:反应腔和控制器,反应腔由腔壁围合而成,反应腔包括多个空间单元,各空间单元中均设置有温度检测装置,每个空间单元设置有至少一个与其连通的气体输送管,对于每个空间单元,至少在一个气体输送管上设置有流量调节装置;控制器与各流量调节装置、各温度检测装置信号连接,控制器用于根据各温度检测装置检测的温度对各流量调节装置进行控制,以调节各流量调节装置所在的气体输送管的流量。该降温装置能够保证反应腔内的温度均匀性。
技术领域
本申请涉及降温工艺技术领域,尤其涉及一种降温装置及其降温控制方法。
背景技术
在OLED显示面板的制造过程中,有些膜层在制备完成后需要进行退火工艺,以改善膜层的特性。
退火炉是较为常用的退火设备,在退火工艺的降温阶段,通常是向退火炉的腔室内通入降温气体来进行降温。
然而,上述的降温方式会导致退火炉的腔室内各个位置的温度差异较大,影响退火效果。
发明内容
鉴于上述问题,本申请实施例提供一种降温装置及其降温控制方法,能够提高降温过程中退火炉内的温度均匀性。
为了实现上述目的,本申请实施例提供如下技术方案:
本申请实施例的第一方面提供一种降温装置,包括:反应腔,所述反应腔由腔壁围合而成,所述反应腔包括多个空间单元,各所述空间单元中均设置有温度检测装置,每个所述空间单元设置有至少一个与其连通的气体输送管,对于每个所述空间单元,至少在一个所述气体输送管上设置有流量调节装置;控制器,与各所述流量调节装置、各所述温度检测装置信号连接,所述控制器用于根据各所述温度检测装置检测的温度对各所述流量调节装置进行控制,以调节各所述流量调节装置所在的气体输送管的流量。
本申请实施例提供的降温装置中,将反应腔划分为多个空间单元,每个空间单元内均设置有温度检测装置,且每个空间单元均设置对应的气体输送管,并在气体输送管上设置流量调节装置。在降温装置进入退火工艺的降温阶段时,利用各气体输送管向各个空间单元输送降温气体,以利用流动的降温气体将各空间单元内的热量带走,达到降温的目的。同时,根据各空间单元内的温度检测装置检测的温度对各气体输送管的流量进行调节,进而调节各空间单元内的降温气体的流速,减小或消除各空间单元之间的温度差。
本申请实施例提供的降温装置能够对反应腔内各空间单元的温度进行针对性调节,保证反应腔内的温度均匀性,从而提高利用该降温装置制备的产品的质量。例如,本申请实施例提供的降温装置可用于对OLED显示面板的IGZO(indium gallium zinc oxide)膜层、栅极绝缘层等膜层进行活化退火工艺,由于在活化退火工艺的降温阶段反应腔内的温度均匀,能够提高反应腔内不同区域的OLED显示面板的温度均一性,从而保证产品的电性均一性。
在一种可能的实现方式中,所述腔壁包括相对的第一侧壁和第二侧壁,各所述空间单元均由所述第一侧壁延伸至所述第二侧壁;所述第一侧壁包括与所述多个空间单元一一对应的多个第一侧壁单元,所述气体输送管包括与所述第一侧壁单元连接的进气管,所述进气管上设置有所述流量调节装置;和/或,所述第二侧壁包括与所述多个空间单元一一对应的多个第二侧壁单元,所述气体输送管包括与所述第二侧壁单元连接的排气管,所述排气管上设置有所述流量调节装置。
在一种可能的实现方式中,所述第一侧壁的内壁面设置有第一导流板,所述第一导流板位于各所述进气管之间;和/或,所述第二侧壁的内壁面设置有第二导流板,所述第二导流板位于各所述排气管之间。
在一种可能的实现方式中,所述空间单元包括沿其延伸方向依次相连的多个子空间,每个所述子空间中均设置有加热装置以及所述温度检测装置,各所述加热装置与所述控制器信号连接,所述控制器还用于根据同一空间单元内的各所述子空间中的温度检测装置检测的温度,调节该空间单元内各所述加热装置的加热功率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造