[发明专利]一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积方法及装置

权利要求书

1.一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：对样件进行预处理操作；

S2：对经预处理操作后的样件通过CVD方式利用TiN原料气沉积TiN涂层；

S3：对沉积TiN涂层后的样件进行正硅酸乙酯自分解反应通过MOCVD沉积方式沉积SiO₂涂层；

S4：对样件进行降温。

2.根据权利要求1所述的一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积方法，其特征在于：所述预处理操作包括去污渍清洗、酸洗、漂洗、丙酮清洗以及烘干。

3.根据权利要求1所述的一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积方法，其特征在于：所述TiN原料气包括N₂原料气、H₂原料气以及TiCl₄蒸汽。

4.根据权利要求1所述的一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积方法，其特征在于：所述步骤S2为对经预处理操作后的样件进行加热至TiN涂层沉积所需的温度后，向经预处理操作后的样件通入TiN原料气进行TiN涂层的沉积。

5.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积方法，其特征在于：所述步骤S3为向样件通入稀释气并对样件进行降温至SiO₂涂层沉积所需的温度后，向样件通入TEOS蒸汽进行SiO₂涂层的沉积。

6.一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积装置，其特征在于：包括CVD气体供应系统、MOCVD气体供应系统以及沉积系统；所述CVD气体供应系统与MOCVD气体供应系统均连接至沉积系统；所述沉积系统内进行TiN涂层的沉积与SiO₂涂层的沉积，所述CVD气体供应系统在沉积系统内进行TiN涂层的沉积时为沉积系统提供TiN原料气，所述MOCVD气体供应系统在沉积系统内进行SiO₂涂层的沉积时为沉积系统提供SiO₂原料气。

7.根据权利要求6所述的一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积装置，其特征在于：所述CVD气体供应系统包括N₂原料气供应管道、H₂原料气供应管道、第一载气供应管道、TiCl₄蒸发器以及气体混合容器，所述第一载气供应管道的输出端连接TiCl₄蒸发器，所述N₂原料气供应管道、H₂原料气供应管道以及TiCl₄蒸发器的输出端连接气体混合容器，所述气体混合容器连接沉积系统。

8.根据权利要求7所述的一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积装置，其特征在于：所述TiCl₄蒸发器的输出端与气体混合容器连接的管道以及气体混合容器与沉积系统连接的管道上均设有第一加热带。

9.根据权利要求6所述的一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积装置，其特征在于：所述MOCVD气体供应系统包括稀释气供应管道、第二载气供应管道以及TEOS蒸发器；所述第二载气供应管道的输出端连接TEOS蒸发器，所述稀释气供应管道与TEOS蒸发器的输出端均连接至沉积系统。

10.根据权利要求9所述的一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积装置，其特征在于：所述TEOS蒸发器的输出端与沉积系统连接的管道上设有第二加热带。