[发明专利]光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质

权利要求书

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

提供初始版图层，所述初始版图层包括多个沿第一方向排布的图形行，每个所述图形行均包括沿第二方向规律排布的多个图形，所述第一方向垂直于第二方向；

将所述初始版图层拆分为第一版图层和第二版图层，用于将间隔相邻的所述图形行置于第一版图层中，将剩余所述图形行置于第二版图层中；

将所述第一版图层拆分为第三版图层和第四版图层，用于将第一版图层的每个所述图形行中，间隔相邻的所述图形置于第三版图层中，剩余所述图形置于第四版图层中；

将所述第二版图层拆分为第五版图层和第六版图层，用于将第二版图层的每个所述图形行中，间隔相邻的所述图形置于第五版图层中，剩余所述图形置于第六版图层中；

其中，所述第三版图层、第四版图层、第五版图层和第六版图层用于单独被执行光学邻近修正。

2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，提供所述初始版图层的步骤中，多个所述图形行包括沿第一方向交替排布第一图形行和第二图形行，每个所述第一图形行均包括沿第二方向排布的多个第一图形，且多个所述第一图形以第一规律排布，每个所述第二图形行均包括沿第二方向排布的多个第二图形，且多个所述第二图形以第二规律排布；

将所述初始版图层拆分为第一版图层和第二版图层的步骤中，将所述第一图形行置于第一版图层中，将所述第二图形行置于第二版图层中。

3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，提供所述初始版图层的步骤中，所述第一规律为：在每个所述第一图形行中，多个所述第一图形不全部位于同一直线上；所述第二规律为：在每个所述第二图形行中，多个所述第二图形均位于同一直线上。

4.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，提供所述初始版图层的步骤中，在所述第一图形行中，多个所述第一图形在所述第一方向上交替上下错位排布，且间隔相邻的所述第一图形位于同一直线上。

5.如权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，提供所述初始版图层的步骤中，所述多个所述第一图形行中，沿所述第一方向，相邻第一图形位于同一直线上；

将所述第一版图层拆分为第三版图层和第四版图层的步骤包括：在第一方向上，将位于同一直线上的第一图形分为交替设置的第一图形组和第二图形组，所述第一图形组和第二图形组均包括N个第一图形，其中，N为正整数，且N小于或等于所述第一图形行的总数量；将所述第一图形组和第二图形组分别置于所述第三版图层和第四版图层中。

6.如权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，提供所述初始版图层的步骤中，所述初始版图层为用于形成SRAM器件的版图层，所述第一图形和第二图形均为源漏引线切断图形。

7.如权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，提供所述初始版图层后，将初始版图层拆分为第一版图层和第二版图层之前，还包括：提供参考版图层，所述参考版图层包括多个沿第一方向排布的参考图形行，每个所述参考图形行均包括沿第二方向排布的多个参考图形，且多个所述参考图形均位于同一直线上，所述参考图形为栅极引线图形；

将所述参考版图层与所述初始版图层重合，所述第一图形行中，间隔相邻的所述第一图形与所述参考图形相接触；

将所述第一版图层拆分为第三版图层和第四版图层的步骤中，将与所述参考图形行相接触的第一图形置于所述第三版图层中，将未与所述参考图形行接触的第一图形置于所述第四版图层中，或者，将与所述参考图形行相接触的第一图形置于所述第四版图层中，将未与所述参考图形行接触的第一图形置于所述第三版图层中。