[发明专利]光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质

说明书

一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，方法包括：提供初始版图层，包括多个沿第一方向排布的图形行，每个图形行均包括沿第二方向规律排布的多个图形，第一方向垂直于第二方向；将初始版图层拆分为第一版图层和第二版图层，将间隔相邻的图形行置于第一版图层中，将剩余图形行置于第二版图层中；将第一版图层拆分为第三版图层和第四版图层，将第一版图层的每个图形行中，间隔相邻的图形置于第三版图层中，剩余图形置于第四版图层中；将第二版图层拆分为第五版图层和第六版图层，将第二版图层的每个图形行中，间隔相邻的图形置于第五版图层中，剩余图形置于第六版图层中。本发明提高光学邻近修正效果的同时，节约工艺成本。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质。

背景技术

为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现图案从掩膜版到光刻胶上的转移；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

随着集成电路设计的高速发展，掩模版图的尺寸日益缩小，光学邻近效应越来越明显，当曝光线条的特征尺寸接近于曝光系统的理论分辨极限时，光刻成像就会发生严重的畸变，从而导致光刻图形质量的严重下降。目前，采用多重图形(multi-patterning，MP)技术拆分掩膜版图，减小光学邻近效应的影响。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，提高光学邻近修正效果的同时，节约工艺成本。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正方法，包括：提供初始版图层，所述初始版图层包括多个沿第一方向排布的图形行，每个所述图形行均包括沿第二方向规律排布的多个图形，所述第一方向垂直于第二方向；将所述初始版图层拆分为第一版图层和第二版图层，用于将间隔相邻的所述图形行置于第一版图层中，将剩余所述图形行置于第二版图层中；将所述第一版图层拆分为第三版图层和第四版图层，用于将第一版图层的每个所述图形行中，间隔相邻的所述图形置于第三版图层中，剩余所述图形置于第四版图层中；将所述第二版图层拆分为第五版图层和第六版图层，用于将第二版图层的每个所述图形行中，间隔相邻的所述图形置于第五版图层中，剩余所述图形置于第六版图层中；其中，所述第三版图层、第四版图层、第五版图层和第六版图层用于单独被执行光学邻近修正。

相应的，本发明实施例还提供一种光学邻近修正系统，包括：版图层提供模块，用于提供初始版图层，所述初始版图层包括多个沿第一方向排布图形行，每个所述图形行均包括沿第二方向规律排布的多个图形，所述第一方向垂直于第二方向；第一版图层拆分模块，用于将所述初始版图层拆分为第一版图层和第二版图层，用于将间隔相邻的所述图形行置于第一版图层中，将剩余所述图形行置于第二版图层中；第二版图层拆分模块，用于将所述第一版图层拆分为第三版图层和第四版图层，用于将第一版图层的每个所述图形行中，间隔相邻的所述图形置于第三版图层中，剩余所述图形置于第四版图层中；第三版图层拆分模块，用于将所述第二版图层拆分为第五版图层和第六版图层，用于将第二版图层的每个所述图形行中，间隔相邻的所述图形置于第五版图层中，剩余所述图形置于第六版图层中；其中，所述第三版图层、第四版图层、第五版图层和第六版图层用于单独被执行光学邻近修正。

相应的，本发明实施例还提供一种掩膜版，包括利用本发明实施例提供的光学邻近修正方法获得的图形。

相应的，本发明实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。