[发明专利]拉晶方法和单晶硅片

权利要求书

1.一种拉晶方法，其特征在于，所述方法包括：

将单晶炉中，主加热器、副加热器之间的间距缩短至第一预设距离；

在熔料阶段，将主加热器的加热功率增加至第一预设值；将副加热器的加热功率增加至第二预设值。

2.根据权利要求1所述的拉晶方法，其特征在于，所述方法还包括：

在调温阶段、引晶阶段、放肩阶段、转肩阶段、等径阶段，将液口距降至第一液口距离。

3.根据权利要求2所述的拉晶方法，其特征在于，所述方法还包括：

在调温阶段、引晶阶段、放肩阶段、转肩阶段均将换热器的位置调整为第一位置；在等径阶段开始后，朝向熔硅液面方向移动换热器，移动结束后，换热器处于第二位置；移动过程持续3-5小时；根据移动速度，移动过程分为至少两个分段，每个分段内换热器均匀速移动；每个分段内匀速移动的速度，与对应时段内的拉速成正比；

或，在调温阶段开始前，将换热器的位置调整为第一位置；在调温阶段、引晶阶段、放肩阶段、转肩阶段、等径阶段均朝向熔硅液面方向移动换热器，移动结束后，换热器处于第二位置；其中，在各个阶段换热器均匀速移动，调温阶段、引晶阶段换热器的移动速度均为第一预设速度，放肩阶段、转肩阶段换热器的移动速度均为第二预设速度，等径阶段换热器的移动速度为第三预设速度；所述第三预设速度≥所述第二预设速度，所述第二预设速度≥所述第一预设速度；

相对于熔硅液面，所述第一位置高于所述第二位置。

4.根据权利要求3所述的拉晶方法，其特征在于，每个分段内换热器均匀速移动的情况下，在等径至晶体长度为至少100mm，拉速为至少80mm/h的情况下，移动速度为8-12mm/h。

5.根据权利要求1-4中任一所述的拉晶方法，其特征在于，所述将单晶炉中，主加热器、副加热器之间的间距缩短至第一预设距离的步骤，包括：

将单晶炉中，主加热器的位置保持不动，朝向主加热器的方向，提升副加热器，使得主加热器、副加热器之间的间距缩短至第一预设距离。

6.根据权利要求1-4中任一所述的拉晶方法，其特征在于，

所述第一预设距离为15-25mm；和/或，所述第一预设值为96-136kw；和/或，所述第二预设值为96-136kw。

7.根据权利要求2所述的拉晶方法，其特征在于，所述第一液口距离为20-25mm。

8.根据权利要求3所述的拉晶方法，其特征在于，所述第一位置为：距熔硅液面75-85mm，所述第二位置为：距熔硅液面45-55mm。

9.根据权利要求3所述的拉晶方法，其特征在于，所述第一预设速度为：4-5mm/h，所述第二预设速度为：5-6mm/h，所述第三预设速度为：8-12mm/h。

10.一种单晶硅片，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一所述的拉晶方法制备得到。