[发明专利]一种标准硅片的制作方法在审
| 申请号： | 202111420109.7 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114134558A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李朋飞;徐岩;邢阳阳;徐雯;苟帅斌;左赛虎;曹艳云;常青;王俊;关文涛 | 申请（专利权）人： | 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B13/10 | 分类号： | C30B13/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张一军;王安娜 |
| 地址： | 719208*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 标准 硅片 制作方法 | ||
1.一种标准硅片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
从硅棒上取出硅生长层；
将所述硅生长层浸泡在掺杂了施受主元素的标准溶液中；
从所述标准溶液中取出所述硅生长层，并对所述硅生长层采用区熔方法进行制作，从而得到标准硅片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述硅生长层浸泡在掺杂了施受主元素的标准溶液中，包括：
将所述硅生长层浸泡在掺杂了施受主元素的标准溶液中，并保持在所述标准溶液中浸泡2-144小时。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅生长层在所述标准溶液中的浸泡时间为6-72小时。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硅生长层在所述标准溶液中的浸泡时间为12-48小时。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述施受主元素选自硼、磷、砷、铟、锑、铝和镓中的一种或者多种。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述施受主元素的掺杂浓度均为0.01-5mg/L。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述施受主元素的掺杂浓度均为0.2-0.5mg/L。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述标准溶液采用如下方法配置：
将氢氟酸与硝酸混合，得到氢氟酸-硝酸溶液；
将施受主元素加入所述氢氟酸-硝酸溶液中，得到掺杂了施受主元素的标准溶液。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述氢氟酸-硝酸溶液中，所述氢氟酸的质量百分比为5-20％，所述硝酸的质量百分比为5-20％。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸与所述硝酸的体积比为1:4-1:1。
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