[发明专利]一种标准硅片的制作方法

说明书

本发明公开了一种标准硅片的制作方法，涉及半导体制造技术领域。该方法的一具体实施方式包括：从硅棒上取出硅生长层；将所述硅生长层浸泡在掺杂了施受主元素的标准溶液中；从所述标准溶液中取出所述硅生长层，并对所述硅生长层采用区熔方法进行制作，从而得到标准硅片。该实施方式能够解决不存在能够对施受主元素同时进行掺杂且应用在低温傅里叶红外检测设备上的标准硅片的制作方法的技术问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种标准硅片的制作方法。

背景技术

目前在相关专利文献中，未找到制作低温傅里叶红外使用标准片的制备方法，而现有的制作硅单晶的主要方法为区熔气相掺杂和涂抹法，在专利文献ZL 02159135.0中，用磷烷气相掺杂区熔制作的单晶硅，该方法主要实现了免受中照过程，实现生产低电阻单晶，但该方法对设备要求高，且掺杂剂单一，浓度高；另外在ZL 200510014891.7中，涉及一种液体涂抹法区熔单晶硅的掺锗方法，该方法实现了掺锗工艺的稳定，但是该方法有一定的局限性，只实现对锗元素进行掺杂。

在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

现有技术中不存在能够对施受主元素同时进行掺杂且应用在低温傅里叶红外检测设备上的标准硅片的制作方法。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种标准硅片的制作方法，以解决不存在能够对施受主元素同时进行掺杂且应用在低温傅里叶红外检测设备上的标准硅片的制作方法的技术问题。

为实现上述目的，根据本发明实施例提供了一种标准硅片的制作方法，包括：

从硅棒上取出硅生长层；

将所述硅生长层浸泡在掺杂了施受主元素的标准溶液中；

从所述标准溶液中取出所述硅生长层，并对所述硅生长层采用区熔方法进行制作，从而得到标准硅片。

可选地，将所述硅生长层浸泡在掺杂了施受主元素的标准溶液中包括：

将所述硅生长层浸泡在掺杂了施受主元素的标准溶液中，并保持在所述标准溶液中浸泡2-144小时。

可选地，所述硅生长层在所述标准溶液中的浸泡时间为6-72小时。

可选地，所述硅生长层在所述标准溶液中的浸泡时间为12-48小时。

可选地，所述施受主元素选自硼、磷、砷、铟、锑、铝和镓中的一种或者多种。

可选地，所述施受主元素的掺杂浓度均为0.01-5mg/L。

可选地，所述施受主元素的掺杂浓度均为0.2-0.5mg/L。

可选地，所述标准溶液采用如下方法配置：

将氢氟酸与硝酸混合，得到氢氟酸-硝酸溶液；

将施受主元素加入所述氢氟酸-硝酸溶液中，得到掺杂了施受主元素的标准溶液。

可选地，在所述氢氟酸-硝酸溶液中，所述氢氟酸的质量百分比为5-20％，所述硝酸的质量百分比为5-20％。

可选地，所述氢氟酸与所述硝酸的体积比为1:4-1:1。

上述发明中的一个实施例具有如下优点或有益效果：本发明实施例通过浸泡方式将不同浓度的施受主元素附着在原生硅身上，然后经过区熔方法制作出不同浓度的单晶硅片。该单晶硅片可以应用于参比片或者标准片的使用，比如应用在低温傅里叶红外检测设备上的标准硅片。

本发明实施例可用于多种不同浓度掺杂的标准硅片的制作，该方法的主要优点是对设备要求低，不需要掺杂气体，而且掺杂的标准物质具有可追溯性，制作流程简单，易于操作。