[发明专利]芯片封装结构和方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

基板，包括：

基板本体；

阻焊层，位于所述基板本体上；以及

回蚀填充结构，位于所述基板本体上并由绝缘材料形成；以及

芯片，固定于所述基板，所述芯片位于所述阻焊层上并覆盖所述回蚀填充结构。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述回蚀填充结构具有圆形截面，所述圆形截面的直径在100um至500um的范围内。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括芯片粘贴薄膜，所述芯片经由所述芯片粘贴薄膜附接在所述基板上。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述回蚀填充结构按照预设的阵列形式分布在所述基板本体上。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述回蚀填充结构在其远离所述基板本体的表面上具有凹陷。

6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述回蚀填充结构的凹陷的凹入深度在1um至10um的范围内。

7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基板包括有机基板。

8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括焊盘和键合触点，所述焊盘和所述键合触点的表面材料包含镍和金中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括：

键合线，用于将所述芯片与所述键合触点电连接。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括三维存储器芯片。

11.一种芯片封装的方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板的基板本体上形成阻焊层和回蚀开窗；

采用绝缘材料填充所述回蚀开窗以形成回蚀填充结构；以及

将芯片固定在所述阻焊层上，并使得所述芯片覆盖所述回蚀填充结构。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述回蚀填充结构在平行于所述基板本体表面的方向上的截面为圆形截面，所述圆形截面的直径在100um至500um的范围内。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，将芯片固定在所述阻焊层上包括：

经由芯片粘贴薄膜将所述芯片附接在所述阻焊层上。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述回蚀填充结构的步骤包括：

形成回蚀填充结构，并使得所述回蚀填充结构按照预设的阵列形式分布在所述基板本体上。

15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述回蚀填充结构的步骤还包括：

使所述回蚀填充结构在其远离所述基板本体的表面上形成凹陷。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述回蚀填充结构的凹陷的凹入深度在1um至10um的范围内。

17.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述基板包括有机基板。

18.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述基板的焊盘和键合触点上电镀金属层，其中，所述金属层包含镍和金中的至少一种。