[发明专利]芯片封装结构和方法

说明书

本申请提供了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基板和芯片，其中，所述基板包括：基板本体；阻焊层，位于所述基板本体上；以及回蚀填充结构，位于所述基板本体上并由绝缘材料形成；所述芯片固定于所述基板，并且所述芯片位于所述阻焊层上并覆盖所述回蚀填充结构。根据本申请技术方案解决了因电镀用导线回蚀开窗的凹陷而导致芯片和基板粘合后出现分层进而芯片失效的问题。另外，本申请提供的芯片封装结构的基板厚度和普通电镀线回蚀基板厚度相同，并且在原料成本上可以与常规设计基板大致保持一致。

技术领域

本申请涉及半导体封装领域，更具体的，涉及一种芯片封装结构和方法。

背景技术

高密度产品通常采用基板为载体的封装方式，而镍金工艺则是基板表面处理选择的主流技术，其适合于基板的正面有细间距镀金手指的设计，背面有镀金球形焊盘的设计。

高密度封装基板的表面处理通常采用电镀线回蚀技术，该工艺是利用电解池原理，以基板的待镀区域做为阴极，在基板的表面电镀镍层和金层，因此，若要在基板表面上进行电镀镍金，则基板上的镀镍金区域必须连接有电镀用导线，通过电镀用导线使基板上的镀镍金区域与整流机的阴极导通，从而实现基板的电镀镍金。电镀完成后，为了避免产生漏电或静电累积的情形，需经过回蚀开窗进行金属回蚀处理，将这些电镀用导线蚀刻移除。

由于存储器芯片的尺寸较大，基本上接近最终的封装尺寸，所以回蚀开窗只能设计在基板的芯片面，具体地是设计在芯片的下方。当基板的表面与芯片的粘合时，通常利用芯片背面贴附的薄膜例如DAF(Die Attach Film)膜加热，使得芯片与基板固定，由于芯片的薄膜未能完全填实补缺基板回蚀开窗的凹陷处，凹陷深度可能达到或超过30um，进而可能会导致芯片粘合在基板后，芯片薄膜底部依然存在空洞，在后续封装件在与母板的安装过程中存在温度的变化时导致芯片和基板出现分层，从而导致芯片失效。

相关技术中通过例如在基板表面再次涂敷阻焊材料的方式来填充回蚀凹陷区域来解决以上问题，但是二次涂敷阻焊材料可造成板厚增加，并且相应的阻焊材料成本也会增加。

发明内容

一方面，本申请的实施方式提供了一种芯片封装结构，其包括基板和芯片，其中，所述基板可以包括：基板本体；阻焊层，位于所述基板本体上；以及回蚀填充结构，位于所述基板本体上并由绝缘材料形成；所述芯片可以固定于所述基板，并且所述芯片可以位于所述阻焊层上并覆盖所述回蚀填充结构。

在一个实施方式中，所述回蚀填充结构可以具有圆形截面，所述圆形截面的直径可以在100um至500um的范围内。

在一个实施方式中，所述芯片封装结构还可以包括芯片粘贴薄膜，所述芯片可以经由所述芯片粘贴薄膜附接在所述基板上。

在一个实施方式中，所述回蚀填充结构可以按照预设的阵列形式分布在所述基板本体上。

在一个实施方式中，所述回蚀填充结构在其远离所述基板本体的表面上可以具有凹陷。

在一个实施方式中，所述回蚀填充结构的凹陷的凹入深度可以在1um至10um的范围内。

在一个实施方式中，所述基板可以包括有机基板。

在一个实施方式中，所述芯片封装结构还可以包括焊盘和键合触点，所述焊盘和所述键合触点的表面材料可以包含镍和金中的至少一种。

在一个实施方式中，所述芯片封装结构还可以包括键合线，用于将所述芯片与所述键合触点电连接。

在一个实施方式中，所述芯片可以包括三维存储器芯片。

另一方面，本申请的实施方式提供了一种芯片封装的方法，该方法可以包括：在基板的基板本体上形成阻焊层和回蚀开窗；采用绝缘材料填充所述回蚀开窗以形成回蚀填充结构；以及将芯片固定在所述阻焊层上，并使得所述芯片覆盖所述回蚀填充结构。