[发明专利]背膜及其制备方法、显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202111424099.4 | 申请日: | 2021-11-26 |
公开(公告)号: | CN114156321A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 石博;于池 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 和箫;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种背膜,其特征在于,包括:依次叠设的保护膜、背膜主体层和离型膜,所述背膜主体层包括:第一背膜部和第二背膜部,所述第一背膜部包括:第一区和包围所述第一区的第二区,所述第一区开设有通孔,所述第二背膜部容置于所述通孔内且可剥离。
2.根据权利要求1所述的背膜,其特征在于,所述第二背膜部,被配置为在所述背膜贴附于显示面板,且所述第二背膜部未被剥离时,对所述显示面板的屏下摄像头区提供支撑;或者,在所述背膜贴附于显示面板,且所述第二背膜部被剥离后,使所述通孔暴露所述显示面板的屏下摄像头区。
3.根据权利要求1或2所述的背膜,其特征在于,所述第二背膜部中多层膜层的层叠顺序与所述第一背膜部中多层膜层的层叠顺序相同。
4.根据权利要求3所述的背膜,其特征在于,所述第一背膜部包括:设置在所述保护膜的靠近所述离型膜一侧的第一支撑层以及设置在所述第一支撑层的靠近所述离型膜一侧的第一粘接层,所述第二背膜部包括:设置在所述保护膜的靠近所述离型膜一侧的第二支撑层以及设置在所述第二支撑层的靠近所述离型膜一侧的第二粘接层,所述第二粘接层的粘性低于所述第一粘接层的粘性。
5.根据权利要求1或2所述的背膜,其特征在于,所述第二背膜部中多层膜层的层叠顺序与所述第一背膜部中多层膜层的层叠顺序相反。
6.根据权利要求5所述的背膜,其特征在于,所述第一背膜部包括:设置在所述保护膜的靠近所述离型膜一侧的第一支撑层以及设置在所述第一支撑层的靠近所述离型膜一侧的第一粘接层,所述第二背膜部包括:设置在所述保护膜的靠近所述离型膜一侧的第二粘接层、以及设置在所述第二粘接层的靠近所述离型膜一侧的第二支撑层,所述第二粘接层的粘性与所述第一粘接层的粘性相同。
7.根据权利要求4或6所述的背膜,其特征在于,所述第一支撑层和所述第二支撑层采用聚对苯二甲酸乙二醇酯PET材料形成。
8.根据权利要求4或6所述的背膜,其特征在于,所述第一粘接层和所述第二粘接层采用压敏胶PSA材料形成。
9.根据权利要求1所述的背膜,其特征在于,所述通孔的形状为矩形、圆形和椭圆形中的任意一种。
10.一种背膜的制备方法,其特征在于,所述背膜为如权利要求1至9任一项所述的背膜,所述制备方法包括:
形成第一背膜部和第二背膜部,所述第一背膜部包括:第一区和包围所述第一区的第二区,所述第一区开设有通孔;
在所述第一背膜部的一侧形成保护膜;
将所述第二背膜部容置于所述通孔中;
在所述第一背膜部的另一侧形成离型膜。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述形成第一背膜部和第二背膜部,包括:
形成待处理背膜,其中,所述待处理背膜包括:依次叠设的保护膜、支撑层、粘接层和离型膜;
通过激光切割方式或者冲切方式,对所述待处理背膜进行打孔,得到第一子背膜和第二子背膜,其中,所述第一子背膜开设有通孔,所述第一子背膜包括:依次叠设的第一保护膜、第一支撑层、第一粘接层和第一离型膜,所述第二子背膜包括:依次叠设的第二保护膜、第二支撑层、第二粘接层和第二离型膜;
去除所述第一子背膜中的第一保护膜和第一离型膜,形成所述第一背膜部,所述第一背膜部包括:叠设的第一支撑层和第一粘接层;
去除所述第二子背膜中的第二保护膜和第二离型膜,形成所述第二背膜部,所述第二背膜部包括:叠设的第二支撑层和第二粘接层。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述将所述第二背膜部容置于所述通孔中,包括:
将所述第二支撑层贴附于所述保护膜,或者,将所述第二粘接层贴附于所述保护膜,以使所述第二背膜部容置于所述通孔中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的