[发明专利]AMR传感器开关芯片的时序控制电路架构及控制方法

说明书

本发明公开了一种AMR传感器开关芯片的时序控制电路架构，快时钟电路的F_CLK输出端接第一组合逻辑运算模块的CLK_1输入端和第二组合逻辑运算模块的CLK输入端，快时钟电路的EN输入端接第一组合逻辑运算模块的EN输出端；慢时钟电路的S_CLK输出端接第一组合逻辑运算模块的CLK_2输入端；第一组合逻辑运算模块的采用信号输出端输出采样信号，EN输出端输出检测使能信号；第二组合逻辑运算模块的比较器使能信号输出端输出比较器使能信号，斩波输出端输出两相斩波信号。本发明可降低磁阻开关芯片的工作电流，减小工作能耗，不易产生毛刺信号，采用斩波失调消除技术提高检测精度。

技术领域

本发明涉及传感器控制电路技术领域，具体而言，涉及一种AMR传感器开关芯片的时序控制电路架构及控制方法。

背景技术

各向异形磁阻(AMR)效应是铁磁材料中的电阻率随磁化强度(外加磁场)和电流方向的改变而变化的现象。基于这一效应制作的磁阻传感器由于灵敏度高，便于集成化等优点被广泛应用。普通的时序控制电路架构中，振荡器输出的信号进入分频器进行处理，分频器将处理后的信号输入组合逻辑运算单元，最终输出AMR开关芯片检测使能时钟信号和比较器判别输出采样时钟信号，用以控制AMR开关芯片检测磁场的有或无。但是，对于分频次数多、计数周期长的应用而言，采用上述时序控制电路架构控制AMR开关芯片工作时，需要的组合逻辑运算电路规模大、运算量大、功耗大，且运算过程中易产生毛刺，AMR输出信号直接给比较器，比较器失调受工艺影响大(无斩波信号无法使用自动校零比较器)，检测精度低。

有鉴于此，特提出本申请。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：对于分频次数多，计数周期长的应用而言，采用普通的时序控制电路架构控制AMR开关芯片检测磁场时，需要的组合逻辑运算电路规模大、运算量大、功耗大，且运算过程中易产生毛刺。目的在于提供一种AMR传感器开关芯片的时序控制电路架构及控制方法，通过数字控制电路，使芯片中功耗较大的磁阻桥、比较器等模拟电路周期性地处于工作-睡眠-工作状态，并通过采样的方式来确定磁场的有或无，可以有效地降低芯片的功耗；此外，引入两相斩波信号来消除仪表放大器的失调电压，从而提高磁阻开关芯片的检测精度。

本发明通过下述技术方案实现：

一方面，本发明提出一种AMR传感器开关芯片的时序控制电路架构，包括：快时钟电路、慢时钟电路、第一组合逻辑运算模块和第二组合逻辑运算模块；所述快时钟电路的F_CLK输出端接所述第一组合逻辑运算模块的CLK_1输入端和所述第二组合逻辑运算模块的CLK输入端，所述快时钟电路的EN输入端接所述第一组合逻辑运算模块的EN输出端；所述慢时钟电路的S_CLK输出端接所述第一组合逻辑运算模块的CLK_2输入端；所述第一组合逻辑运算模块的Sampling输出端输出采样信号，EN输出端输出检测使能信号；所述第二组合逻辑运算模块的EN_comp输出端输出比较器使能信号，斩波输出端输出两相斩波信号。