[发明专利]高垄覆膜栽培玉米的方法

权利要求书

1.高垄覆膜栽培玉米的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)整地：进行整地垄作，形成中部高、两侧低，高度在10～15cm、20～30cm的梯形垄，垄底宽120cm～130cm，中部垄台宽90cm～100cm，两侧垄顶宽20～25cm；中部垄台播种，行距30cm～40cm；

在梯形垄的中部垄台面上再整地，形成多条宽10～15cm、深10±2cm的集水龚沟，在中部深挖形成15-20cm、深8±2cm的施肥沟；

在梯形垄的两侧垄台面上整地做施肥沟，施肥沟与相邻一行播种区的间距在15-20cm；

2)覆膜增墒：选用幅宽40cm～60cm的地膜进行覆膜，覆膜时地膜要与垄台、集水龚沟贴紧，并每隔2.0m横压土腰带，防大风揭膜，并拦截集水龚沟内的径流；覆膜时注意覆盖至中部龚台两侧，并露出施肥沟；

3)播种后用质量浓度75％乙草胺乳液1200ml/hm对水600kg对垄台面均匀喷施，在施肥区用宽20～25cm的地膜平整覆盖施肥区，膜上覆2cm厚的土壤，覆膜盖土后在裸露的地面再喷施一次乙草胺除草剂。

2.根据权利要求1所述的高垄覆膜栽培玉米的方法，其特征在于：所述集水龚沟位于相邻两行播种区之间，两者之间的间距在5-10cm。

3.根据权利要求1所述的高垄覆膜栽培玉米的方法，其特征在于：出苗期管理：玉米播种后7-10天出苗，覆膜后，待幼苗第一叶展开后，及时破膜放苗，放苗后封严苗孔，并观察玉米生长情况，适时浇水施肥，防治病虫害。

4.根据权利要求1所述的高垄覆膜栽培玉米的方法，其特征在于：查苗补苗管理：穴播玉米应在3～4叶期间苗，4～5叶期定苗，地下虫害严重或风口地块，可适当晚定苗，每穴留一株，去弱苗，留壮苗，留大苗。

5.根据权利要求1所述的高垄覆膜栽培玉米的方法，其特征在于：所述地膜为生物可降解膜，厚度为0.006～0.008cm。