[发明专利]高垄覆膜栽培玉米的方法

说明书

本发明公开了本发明中采用覆膜栽培提高地温，采用梯形垄的垄作方式，在垄台顶部开挖集水垄沟，集水垄沟位于每行播种区之间，保证雨水或灌溉水不溢出龚面，达到集雨的目的，并在覆膜后横压土腰带，拦截垄沟内的径流；达到集水保墒目的，为玉米种子萌发出苗提供必要的水分，促使玉米全苗。在梯形垄的两侧垄台面上施肥沟，使玉米种子与施肥沟分开，相距大于15cm，肥料高度低于播种高度，施肥区肥水通过扩散慢慢将肥料释放到播种区，保证不会因肥料相对集中发生烧种烧苗情况。

技术领域

本发明涉及玉米栽培技术领域，具体涉及高垄覆膜栽培玉米的方法。

背景技术

玉米是旱粮作物，但全生育期没有足够的水分，难以正常生长，有的因墒情不足、缺少水分，造成玉米出苗率低，因此田块保墒显得非常重要，而且每个生长阶段还必须要求有充足的肥料养分，才能保证玉米壮苗壮株，否则会造成脱肥早衰现象。根据我国各地配方施肥研究表明，大田作物氮当季利用率35％以下、磷当季利用率20％以下、钾当季利用率50％以下。传统的种植方式在土壤中普遍撒施肥料并耕翻，肥料分散在土壤中，部分肥料在土壤中下漏沉底，或露在地表的肥料分解成气体散失在空气中，使得部分肥料流失，不能被玉米植株根系完全吸收利用，导致肥料利用率低；在玉米播种季节常少雨，旱田周边常因缺水不能及时洇灌，而大面积耕翻土地造成跑墒，不利于玉米种子出全苗。

分层施肥，在玉米、小麦、大豆、花生等作物上已有应用，但现有提出的分层施肥，主要分为多种：一是将肥料分层施于种子的下方，虽将种子与肥料隔开，但这种施肥方式很容易烧伤玉米苗的根须，使其丧失吸水或吸肥的功能；二是将肥料交叉分层施于种子的周边，虽然相隔5cm以上的距离，但这种施肥方式因肥料局部浓度高也容易伤及玉米苗的根须；多是在种子周围挖坑分层埋肥，有的坑上大下小，很容易造成肥料散失，肥料利用率仍然不是很高。

发明内容

为解决上述背景技术中的问题，本发明的目的在于提供一种高垄覆膜栽培玉米的方法。

为实现如上目的，本发明具体的技术方案如下：

高垄覆膜栽培玉米的方法，包括以下步骤：

1)整地：进行整地垄作，形成中部高、两侧低，高度在10～15cm、20～30cm的梯形垄，垄底宽120cm～130cm，中部垄台宽90cm～100cm，两侧垄顶宽20～25cm；中部垄台播种，行距30cm～40cm；

在梯形垄的中部垄台面上再整地，形成多条宽10～15cm、深10±2cm的集水龚沟，在中部深挖形成15-20cm、深8±2cm的施肥沟；

在梯形垄的两侧垄台面上整地做施肥沟，施肥沟与相邻一行播种区的间距在15-20cm；

2)覆膜增墒：选用幅宽40cm～60cm的地膜进行覆膜，覆膜时地膜要与垄台、集水龚沟贴紧，并每隔2.0m横压土腰带，防大风揭膜，并拦截集水龚沟内的径流；覆膜时注意覆盖至中部龚台两侧，并露出施肥沟；

3)播种后用质量浓度75％乙草胺乳液1200ml/hm对水600kg对垄台面均匀喷施，在施肥区用宽20～25cm的地膜平整覆盖施肥区，膜上覆2cm厚的土壤，覆膜盖土后在裸露的地面再喷施一次乙草胺除草剂。

进一步地，所述集水龚沟位于相邻两行播种区之间，两者之间的间距在5-10cm。

进一步地，出苗期管理：玉米播种后7-10天出苗，覆膜后，待幼苗第一叶展开后，及时破膜放苗，放苗后封严苗孔，并观察玉米生长情况，适时浇水施肥，防治病虫害。

进一步地，查苗补苗管理：穴播玉米应在3～4叶期间苗，4～5叶期定苗，地下虫害严重或风口地块，可适当晚定苗，每穴留一株，去弱苗，留壮苗，留大苗。

进一步地，所述地膜为生物可降解膜，厚度为0.006～0.008cm。

与已有技术相比，本发明有益效果体现在：