[发明专利]一种MOCVD设备的加热系统及MOCVD设备

说明书

本发明涉及一种MOCVD设备的加热系统及MOCVD设备，所述加热系统包括加热盘（2）、热辐射防护组件、陶瓷支撑组件、导电组件和绝缘支撑筒（6），热辐射防护组件包括基板（4）和设置在基板（4）上的反射板（3），加热盘（2）通过陶瓷支撑组件支撑在反射板（3）的上方，导电组件包括导电支撑板（5）、铜排（7）和电极（8），铜排（7）与电极（8）相连且电极（8）的上端与导电支撑板（5）相连，基板（4）通过绝缘支撑筒（6）支撑在导电支撑板（5）的上方，导电支撑板（5）通过穿过基板（4）和反射板（3）的接线柱与加热盘（2）相连。其能够满足MOCVD设备对加热系统的要求，实现其温场均匀、稳定的目标。

技术领域

本发明属于气相沉积设备技术领域，涉及一种MOCVD设备的加热系统及MOCVD设备。

背景技术

金属有机物化学气相沉积（MOCVD）是一种制备化合物半导体薄层单晶膜的方法。MOCVD工艺是将稀释于载气的III、II族金属化合物以及V、VI族氢化物导入腔体，在被加热的衬底表面发生热分解等一系列反应，反应的产物在衬底的表面沉积成所需的晶体薄膜。MOCVD设备是集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、热学、光学等多学科为一体，自动化程度高，技术集成度高的高端半导体材料、光电子专用设备。

加热系统是MOCVD设备的核心组件，不同的反应腔对应不同的控制系统与加热系统。加热系统对发生反应的基底进行加热，提供发生反应所需要的温度。加热系统要满足加热均匀，升降温速度快，温度稳定时间短等工艺要求。同时，因为温度条件是薄膜沉积过程中的重要影响因素，因此，在整个生长过程中，要求温度波动很小。而且，基座表面热场均匀也能提高膜片厚度均匀性，因此，要求加热系统提供的热场要均匀、稳定。

鉴于现有技术的上述技术缺陷，迫切需要研制一种能够满足MOCVD设备的加热需求的加热系统。

发明内容

为了克服现有技术的缺陷，本发明提出一种MOCVD设备的加热系统及MOCVD设备，其能良好匹配MOCVD设备，使基座表面热场均匀、温度波动小。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种MOCVD设备的加热系统，其包括加热盘，其特征在于，还包括热辐射防护组件、陶瓷支撑组件、导电组件和绝缘支撑筒，所述热辐射防护组件包括基板和设置在所述基板上的反射板，所述加热盘通过所述陶瓷支撑组件支撑在所述反射板的上方，所述导电组件包括导电支撑板、铜排和电极，所述铜排与所述电极相连且所述电极的上端与所述导电支撑板相连，所述基板通过所述绝缘支撑筒支撑在所述导电支撑板的上方，所述导电支撑板通过穿过所述基板和反射板的接线柱与所述加热盘相连。

优选地，其中，所述基板上设置有四层所述反射板。

优选地，其中，所述热辐射防护组件还包括隔热筒，所述隔热筒从所述加热盘的周围包裹住所述加热盘。

优选地，其中，所述MOCVD设备的加热系统进一步包括水冷组件，所述水冷组件用于给所述电极降温。

优选地，其中，所述水冷组件包括水嘴和水管，所述水嘴安装在所述电极的下端，所述水管与所述水嘴相连。

优选地，其中，所述陶瓷支撑组件包括陶瓷支撑丝和支撑所述陶瓷支撑丝的陶瓷支撑杆，所述陶瓷支撑杆安装在所述反射板和基板中，所述陶瓷支撑丝安装在所述陶瓷支撑杆的上端且位于所述反射板的上方。

优选地，其中，所述陶瓷支撑丝设计成n型且其两端分别与一根所述陶瓷支撑杆的上端相连。

优选地，其中，所述陶瓷支撑组件还包括陶瓷支撑板，所述陶瓷支撑板安装在两根所述陶瓷支撑杆的上端并且所述陶瓷支撑丝的两端分别连接在所述陶瓷支撑板上。

优选地，其中，所述陶瓷支撑丝、陶瓷支撑杆和陶瓷支撑板均由氮化硼制成。

优选地，其中，所述加热盘包括内加热盘和围绕所述内加热盘的外加热盘。