[发明专利]一种显示面板的制备方法及显示面板在审
申请号: | 202111434061.5 | 申请日: | 2021-11-29 |
公开(公告)号: | CN114141717A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 黄旭;覃事建 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 汪阮磊 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下制备步骤:
提供一基板,在所述基板的一侧表面上制备一层保护层;
翻转所述基板,并在所述基板远离所述保护层的一侧表面依次制备缓冲层、薄膜晶体管层、辅助电极层、钝化层和平坦层;
在所述钝化层和所述平坦层上刻蚀第一开孔,所述第一开孔对应所述辅助电极层;
在所述第一开孔内刻蚀第二开孔,所述第二开孔远离所述辅助电极的开口面与所述钝化层的表面平齐;
在所述平坦层远离所述钝化层的一侧表面制备导电层,图案化所述导电层形成阳极层,去除多余的导电层和所述保护层。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述第一开孔内刻蚀第二开孔的具体制备步骤如下:
在平坦层上涂布一层光刻胶,所述光刻胶对应所述第一开孔设有缺口;
通过刻蚀液在所述第一开孔内刻蚀第二开孔,所述辅助电极部分裸露于所述第二开孔的底部,所述第一开孔在要钝化层上的投影完全落于所述第二开孔在所述钝化层上的投影内;
去除所述光刻胶。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述导电层和所述保护层的材料相同。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述导电层和所述保护层的材料为氧化铟锡-银-氧化铟锡的叠层材料。
5.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述刻蚀液为氟化氢溶液。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述去除多余的导电层和所述保护层的步骤之后,还包括以下制备步骤:
在所述平坦层上制备阴极层,所述阴极层覆盖所述第一开孔内侧壁、所述第二开孔内侧壁以及所述辅助电极层的表面。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述缓冲层、薄膜晶体管层、辅助电极层、钝化层和平坦层的具体制备步骤如下:
在所述基板远离所述保护层的一侧表面制备缓冲层;
在所述缓冲层上制备一层遮光金属材料,图案化后形成遮光金属层;
在所述缓冲层和所述遮光金属层上制备第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上制备半导体材料,图案化所述半导体材料后,在所述遮光金属层上方形成有源层;
在所述有源层上依次制备栅极绝缘层和栅极层;
在所述第一绝缘层上制备介电层,所述介电层覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极层;
在所述介电层上刻蚀通孔,所述通孔贯穿所述介电层和所述第一绝缘层,所述有源层和所述遮光金属层部分裸露于所述通孔内;
在所述介电层上制备一层电极材料,所述电极材料填充所述通孔,图案化所述电极材料形成源漏电极和辅助电极层,所述源漏电极连接所述有源层和所述遮光金属层;
在所述介电层上制备所述钝化层,所述钝化层覆盖所述源漏电极和所述辅助电极层;
在所述钝化层上制备一层平坦层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述阳极层贯穿所述平坦层和所述钝化层,并与所述源漏电极连接。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
通过湿法刻蚀工艺图案化所述导电层,并同步去除所述保护层。
10.一种显示面板,其特征在于,通过权利要求1-9中任一项所述的显示面板的制备方法制备而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造