[发明专利]包括涂层或屏蔽件的PVD室屏蔽结构在审
| 申请号： | 202111438566.9 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115125507A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 郑光先;安俊九;李泳昊;李钟豪;黄旭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;王翠华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 涂层 屏蔽 pvd 结构 | ||
1.一种物理气相沉积PVD室屏蔽结构，包括：
屏蔽件，所述屏蔽件包围设置在PVD室体中的溅射靶材与衬底之间的空间，所述屏蔽件具有带内表面和外表面的中空形状；以及
涂层，所述涂层形成在所述屏蔽件的所述内表面上，
其中，所述涂层的介电常数不大于在PVD工艺期间沉积在所述衬底上的材料的介电常数。
2.如权利要求1所述的PVD室屏蔽结构，其中，所述涂层包括如下材料中的一种或更多种：GexAsyTe(1-x-y)、GexAsySe(1-x-y)、GexAsyS(1-x-y)、Y2O3、YAG钇铝石榴石、YAP钇铝钙钛矿、基于Y-Al-O的化合物、基于Y-F的化合物、基于Y-Cl的化合物、基于Y-O-F的化合物、基于Y-O-Cl的化合物、基于Be-O的化合物、基于Be-F的化合物、基于Be-O-Cl的化合物和YSZ氧化钇稳定氧化锆，其中，0x+y1。
3.如权利要求1所述的PVD室屏蔽结构，其中，所述涂层具有小于7的介电常数。
4.如权利要求1所述的PVD室屏蔽结构，其中，与所述涂层包括金属或陶瓷时相比，所述涂层的电容和PVD室中的总电容减小。
5.如权利要求1所述的PVD室屏蔽结构，其中，沉积在所述衬底之上的所述材料包括硫属化物材料。
6.如权利要求1所述的PVD室屏蔽结构，其中，所述屏蔽件包括金属、陶瓷或它们的组合。
7.一种PVD室屏蔽结构，包括：
屏蔽件，所述屏蔽件包围设置在PVD室体中的溅射靶材与衬底之间的空间，所述屏蔽件具有带内表面和外表面的中空形状；以及
涂层，所述涂层形成在所述屏蔽件的所述内表面上，
其中，所述涂层具有大于0vol％且小于100vol％的孔隙率。
8.如权利要求7所述的PVD室屏蔽结构，其中，所述涂层包括如下材料中的一种或更多种：GexAsyTe(1-x-y)、GexAsySe(1-x-y)、GexAsyS(1-x-y)、Y2O3、YAG钇铝石榴石、YAP钇铝钙钛矿、基于Y-Al-O的化合物、基于Y-F的化合物、基于Y-Cl的化合物、基于Y-O-F的化合物、基于Y-O-Cl的化合物、基于Be-O的化合物、基于Be-F的化合物、基于Be-O-Cl的化合物和YSZ氧化钇稳定氧化锆，其中，0x+y1。
9.如权利要求7所述的PVD室屏蔽结构，其中，所述涂层的孔隙率经设定为不大于22vol％。
10.如权利要求7所述的PVD室屏蔽结构，其中，与所述涂层为无孔时相比，所述涂层的电容和PVD室中的总电容减小。
11.如权利要求7所述的PVD室屏蔽结构，其中，在PVD工艺期间沉积在所述衬底上的材料包括硫属化物材料。
12.如权利要求7所述的PVD室屏蔽结构，其中，所述屏蔽件包括金属、陶瓷或它们的组合。
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