[发明专利]包括涂层或屏蔽件的PVD室屏蔽结构

说明书

本公开提供了一种包括涂层或屏蔽件的PVD室屏蔽结构。根据所公开的技术的实施方式的屏蔽结构可以包括：屏蔽件，所述屏蔽件被配置为包围设置在PVD室体中的溅射靶材与衬底之间的空间，所述屏蔽件具有带内表面和外表面的中空形状；以及涂层，所述涂层形成在屏蔽件的内表面上，其中，所述涂层具有：i)介电常数，其不大于沉积在衬底上的材料的介电常数；ii)孔隙率，其大于0vol％且小于100vol％；以及iii)厚度，其大于150μm且小于给定的上限，所述上限被设定为防止沉积在涂层之上的材料发生剥离。

相关申请的交叉引用

本申请要求2021年3月25日提交的申请号为10-2021-0039025、题为“PVD CHAMBERSHIELD STRUCTURE INCLUDING IMPROVED COTAING LAYER OR SHIELD(包括改进的涂层或屏蔽件的PVD室屏蔽结构)”的韩国专利申请的优先权和权益，其通过引用整体合并于此。

技术领域

所公开技术的实施例涉及在PVD工艺中使用的PVD(物理气相沉积)室屏蔽结构。

背景技术

随着诸如个人计算机、移动设备等的电子设备朝着小型化、低功耗、高性能、多功能化的趋势发展，已亟需能够将数据储存在各种电子设备中的存储器件。因此，已经进行研究以开发具有切换特性的存储器件，即，能够通过根据所施加的电压或电流而在不同电阻状态之间进行切换来储存数据的器件。存储器件的示例包括RRAM(电阻式随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)、电熔丝等。

这种电子设备中包括的各种材料层，例如，硫属化物材料层，通常可以通过物理气相沉积形成，例如通过在PVD室中使用由待沉积的硫属化物材料形成的靶材(target)进行溅射来形成。PVD室可以包括包围溅射靶材与待处理的衬底之间的空间的室体(chamberbody)以及用于内部清洁和保护室体中的结构的屏蔽结构。

发明内容

所公开的技术可以用于一些实施方式中以提供在PVD工艺中使用的PVD室屏蔽结构。

在一方面，PVD室屏蔽结构可以包括：屏蔽件，所述屏蔽件被配置为包围设置在PVD室体中的溅射靶材与衬底之间的空间，所述屏蔽件具有带内表面和外表面的中空形状；以及涂层，所述涂层形成在屏蔽件的内表面上，其中，涂层的介电常数不大于在PVD工艺期间沉积在衬底上的材料的介电常数。

在另一方面，PVD室屏蔽结构可以包括：屏蔽件，所述屏蔽件被配置为包围设置在PVD室体中的溅射靶材与衬底之间的空间，所述屏蔽件具有带内表面和外表面的中空形状；以及涂层，所述涂层形成在屏蔽件的内表面上，其中，涂层具有大于0vol％且小于100vol％的孔隙率。

在另一方面，PVD室屏蔽结构可以包括：屏蔽件，所述屏蔽件被配置为包围设置在PVD室体中的溅射靶材与衬底之间的空间，所述屏蔽件具有带内表面和外表面的中空形状；以及涂层，所述涂层形成在屏蔽件的所述内表面上，其中，所述涂层的厚度大于150μm且小于给定的上限，所述上限被设定为防止沉积在涂层之上的材料发生剥离。

在另一方面，PVD室屏蔽结构可以包括：屏蔽件，所述屏蔽件被配置为包围设置在PVD室体中的溅射靶材与衬底之间的空间，所述屏蔽件具有带内表面和外表面的中空形状，其中，在PVD工艺期间沉积在衬底上的材料被沉积在屏蔽件的内表面上，以及其中，所述屏蔽件的介电常数不大于沉积在衬底之上的材料的介电常数。

在又一方面，PVD室屏蔽结构可以包括：屏蔽件，所述屏蔽件被配置为包围设置在PVD室体中的溅射靶材与衬底之间的空间，所述屏蔽件具有带内表面和外表面的中空形状，其中，在PVD工艺期间沉积在衬底之上的材料被沉积在屏蔽件的内表面上，以及其中，所述屏蔽件具有大于0vol％且小于100vol％的孔隙率。