[发明专利]半导体工艺设备及其控压管路结构

权利要求书

1.一种半导体工艺设备的控压管路结构，其特征在于，所述控压管路结构包括排气管路和供气管路，其中：

所述排气管路的一端与所述半导体工艺设备的排气通道连接，所述排气管路的另一端与厂务排气端连接，所述排气管路用于排出所述半导体工艺设备中的工艺气体；

所述供气管路与稀释气体气源连接，所述供气管路的出气端延伸至所述排气管路内，以向所述排气管路中通入稀释气体；所述稀释气体进入所述排气管路的气流方向与所述排气管路内的所述工艺气体的气流方向之间的夹角大于等于0°，且小于90°。

2.根据权利要求1所述的控压管路结构，其特征在于，所述供气管路包括第一支管和至少两根第二支管，所述第一支管与所述稀释气体气源连接；所述第二支管的进气端连接所述第一支管，所述第二支管的出气端延伸至所述排气管路内，以向所述排气管路中通入稀释气体；所述排气管路和所述第一支管的流通面积均大于所述第二支管的流通面积。

3.根据权利要求2所述的控压管路结构，其特征在于，沿所述第一支管的延伸方向，全部所述第二支管的进气端与所述第一支管错位连接；沿所述排气管路的延伸方向，全部所述第二支管的出气端与所述排气管路错位连接。

4.根据权利要求2所述的控压管路结构，其特征在于，所述第二支管延伸至所述排气管路内的管段呈折弯状，且折弯至所述第二支管的出气端的朝向与所述排气管路的延伸方向相一致。

5.根据权利要求4所述的控压管路结构，其特征在于，所述第二支管的数量为多个；在所述排气管路的横截面上，所述第二支管的出气端的投影两两之间错位布置。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的控压管路结构，其特征在于，所述第二支管上设置有压力控制装置、流量控制装置和第一控制阀，且沿所述稀释气体的输送方向，所述压力控制装置、所述流量控制装置和所述第一控制阀依次布置。

7.根据权利要求2至5中任一项所述的控压管路结构，其特征在于，所述第一支管的管径为1英寸，所述第二支管的管径为0.5英寸。

8.根据权利要求1所述的控压管路结构，其特征在于，所述排气管路的流通面积小于所述排气通道的流通面积，且所述排气管路上设置有第二控制阀。

9.根据权利要求2所述的控压管路结构，其特征在于，所述排气管路包括折弯段，沿所述工艺气体的气流方向，所述折弯段设置在所述排气管路与所述第二支管的连接处的上游，所述折弯段用于限制所述工艺气体与所述稀释气体形成的混合气体回流。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室以及权利要求1至9中任一项所述的控压管路结构。