[发明专利]半导体工艺设备及其控压管路结构

说明书

本申请公开一种半导体工艺设备及其控压管路结构，所述控压管路结构包括排气管路和供气管路，其中：所述排气管路的一端与所述半导体工艺设备的排气通道连接，所述排气管路的另一端与厂务排气端连接，所述排气管路用于排出所述半导体工艺设备中的工艺气体；所述供气管路与稀释气体气源连接，所述供气管路的出气端延伸至所述排气管路内，以向所述排气管路中通入稀释气体；所述稀释气体进入所述排气管路的气流方向与所述排气管路内的所述工艺气体的气流方向之间的夹角大于等于0°，且小于90°。上述方案能够在有效稀释工艺气体的基础上，防止气体倒灌入工艺腔室。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备及其控压管路结构。

背景技术

在半导体制造的诸多工艺(例如氧化、扩散、退火等)中，均需要保持工艺腔室处于负压状态，以防止工艺气体泄漏。同时，半导体工艺设备的排气侧需要通入稀释气体(例如氮气等)，来降低排出至厂务排气端的工艺气体的浓度，以避免存在安全隐患。例如，若排出的工艺气体中氢气浓度过高，则存在爆炸风险。

在相关技术中，稀释气体的进气管路是直接与工艺腔室的排气通道连接，稀释气体和工艺气体在排气通道中混合后再由排气管路输送至厂务排气端。在此种结构布局下，稀释气体会与工艺气体对冲，而阻碍工艺气体输送，由于工艺腔室内为负压状态，稀释气体和工艺气体蓄积后极容易倒灌回工艺腔室内，特别是在稀释气体流量较大时，这样势必会破坏工艺腔室的负压环境。但是，若减小稀释气体的流量，其又难以对工艺气体进行有效稀释，进而潜存巨大的安全风险。

发明内容

本申请公开一种半导体工艺设备及其控压管路结构，以在有效稀释工艺气体的基础上，防止气体倒灌入工艺腔室。

为了解决上述问题，本申请采用下述技术方案：

第一方面，本申请提供一种半导体工艺设备的控压管路结构，所述控压管路结构包括排气管路和供气管路，其中：

所述排气管路的一端与所述半导体工艺设备的排气通道连接，所述排气管路的另一端与厂务排气端连接，所述排气管路用于排出所述半导体工艺设备中的工艺气体；

所述供气管路与稀释气体气源连接，所述供气管路的出气端延伸至所述排气管路内，以向所述排气管路中通入稀释气体；所述稀释气体进入所述排气管路的气流方向与所述排气管路内的所述工艺气体的气流方向之间的夹角大于等于0°，且小于90°。

第二方面，本申请提供一种半导体工艺设备，其包括工艺腔室以及本申请第一方面所述的控压管路结构。

本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：

在本申请公开的半导体工艺设备的控压管路结构中，通过将供气管路设置为，使稀释气体进入排气管路的气流方向与排气管路内的工艺气体的气流方向之间的夹角大于等于0°，且小于90°，如此情况下，稀释气体不会与工艺气体产生对冲，即便是加大稀释气流的流量，也能够避免了如相关技术中稀释气体阻碍工艺气体而蓄积的问题，进而能够防止气体倒灌回工艺腔室。

同时，由于稀释气体的气流方向存在与工艺气体的气流方向同向的分量，稀释气体在通入排气管路后能够加工艺气体的流速，进而提升排气效率。

相较于相关技术，本申请的控压管路结构无疑能够在有效稀释工艺气体的基础上，防止气体倒灌入工艺腔室。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。

在附图中：

图1为本申请实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；

图2为本申请实施例公开的控压管路结构的部分结构示意图。

附图标记说明：