[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种集成晶体管，其包括：

有源区，其包括半导体材料；以及

导电门控结构，其操作性地接近所述有源区；所述导电门控结构包含接近所述有源区的内部区且包含远离所述有源区的外部区；所述内部区包括包含钛和氮的第一材料，且所述外部区包括含金属的第二材料；所述第二材料具有比所述第一材料高的导电性。

2.根据权利要求1所述的集成晶体管，其中所述内部区具有小于或等于约2nm的厚度。

3.根据权利要求1所述的集成晶体管，其中所述外部区具有在约2nm到约15nm的范围内的厚度。

4.根据权利要求1所述的集成晶体管，其中所述第二材料包含Ru、Mo、Cu、Pt、Pd、W、Ta、Co、Rh和Ni中的一或多种。

5.根据权利要求1所述的集成晶体管，其中所述第二材料包含一或多种金属氮化物。

6.根据权利要求5所述的集成晶体管，其中所述第二材料包含TaN，其中化学式指示主要成分而非特定化学计量。

7.根据权利要求1所述的集成晶体管，其中所述第二材料包含一或多种金属氧化物。

8.一种存储器阵列，其包括作为许多大体上相同的存取装置中的一个的根据权利要求1所述的集成晶体管，其中所述存取装置与存储元件耦合。

9.根据权利要求8所述的存储器阵列，其中所述存储元件包括电容器。

10.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述电容器是铁电电容器。

11.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述电容器为非铁电电容器。

12.一种形成集成组合件的方法，其包括：

形成包含第一线性结构且包含在所述第一线性结构上方的半导体材料支柱的构造；所述第一线性结构沿着第一方向延伸；所述支柱中的每一个包含有源区；所述有源区的下部部分与所述第一线性结构耦合；

沿着所述支柱的侧壁形成绝缘材料；

形成邻近所述绝缘材料的模板结构；所述模板结构包括模板材料且图案化成仅沿着所述支柱的中心分段而非沿着所述支柱的整个竖直长度延伸；所述模板结构配置为沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸的第二线性结构；

相对于所述构造的任何其它暴露材料在所述模板材料上选择性地形成导电材料；

所述导电材料比所述模板材料更导电；以及

形成与所述有源区的上部部分耦合的存储元件。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述导电材料包含Ru、Mo、Cu、Pt、Pd、W、Ta、Co、Rh和Ni中的一或多种。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述模板材料包括钛和氮。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述导电材料的所述选择性地形成利用原子层沉积。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述导电材料包括金属，且其中所述原子层沉积利用包括所述金属以及碳、氮、卤素和氧中的一或多种的前驱体。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述前驱体为金属有机物。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述金属为Ru，且其中所述前驱体为双(乙基环戊二烯基)钌。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述前驱体为金属卤化物且包括所述金属以及氯、氟和溴中的一或多种。