[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法

说明书

本公开涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有包括半导体材料的有源区的集成晶体管。导电门控结构邻近于所述有源区。所述导电门控结构包含接近所述有源区的内部区，且包含远离所述有源区的外部区。所述内部区包含含有钛和氮的第一材料，且所述外部区包含含金属的第二材料。所述第二材料具有比所述第一材料高的导电性。一些实施例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

技术领域

集成组合件(例如，集成存储器)。形成集成组合件的方法。

背景技术

晶体管用于各种半导体装置中。场效应晶体管(FET)具有可包含在一对源极/漏极区之间的沟道区的有源区。FET可包含一或多个栅极，所述栅极被配置成通过沟道区将源极/漏极区彼此电连接。

竖直FET(VFET)具有大体上垂直于其上形成有晶体管的衬底的主要表面的有源区。

晶体管可并入到存储器阵列中，且可用作存储器阵列的存储器单元的存取装置。

需要开发用于形成集成晶体管和集成存储器的新方法。还需要开发新晶体管配置和利用新晶体管配置的新组合件(例如，存储器组合件)。

动态随机存取存储器(DRAM)可利用个别地包括与电容器组合的存取晶体管的存储器单元。

铁电随机存取存储器(FeRAM)可类似于DRAM而配置，不同之处在于FeRAM利用铁电电容器而非常规DRAM的非铁电电容器。铁电电容器可理解为利用电容器配置内的导电存储节点之间的铁电绝缘材料的电容器，而非铁电电容器可理解为仅利用电容器配置内的导电存储节点之间的非铁电绝缘材料的电容器。

需要开发改进的存储器架构和形成存储器架构的改进方法。

发明内容

在一方面，本公开涉及一种集成晶体管，其包括：有源区，其包括半导体材料；以及导电门控结构，其操作性地接近所述有源区；所述导电门控结构包含接近所述有源区的内部区且包含远离所述有源区的外部区；所述内部区包括包含钛和氮的第一材料，且所述外部区包括含金属的第二材料；所述第二材料具有比所述第一材料高的导电性。

在另一方面，本公开涉及一种存储器阵列，其包括在本申请中所描述的作为许多大体上相同的存取装置中的一个的集成晶体管，其中所述存取装置与存储元件耦合。

在又一方面，本公开涉及一种形成集成组合件的方法，其包括：形成包含第一线性结构且包含在所述第一线性结构上方的半导体材料支柱的构造；所述第一线性结构沿着第一方向延伸；所述支柱中的每一个包含有源区；所述有源区的下部部分与所述第一线性结构耦合；沿着所述支柱的侧壁形成绝缘材料；形成邻近所述绝缘材料的模板结构；所述模板结构包括模板材料且图案化成仅沿着所述支柱的中心分段而非沿着所述支柱的整个竖直长度延伸；所述模板结构配置为沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸的第二线性结构；相对于所述构造的任何其它暴露材料在所述模板材料上选择性地形成导电材料；所述导电材料比所述模板材料更导电；以及形成与所述有源区的上部部分耦合的存储元件。